Ero sivun ”Kanavatransistori” versioiden välillä
| [katsottu versio] | [katsottu versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Rivi 7:
Kanavatransistorin saivat ensimmäisenä toimimaan [[John Atalla]] ja [[Dawon Kahng]] vuonna 1959.<ref name="chmmosfet">{{Verkkoviite | osoite = http://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/ | nimeke = 1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated | julkaisija = Computer History Museum | viitattu = 16.8.2017 | kieli = {{en}} }}</ref> Ratkaisun mukaan se sai nimen [[MOSFET]].<ref name="chmmosfet" />
[[Digh Hisamoto]] kehitti tekniikkaa Delta Mosfetiin ja evämäisen pinnan käyttöön.<ref>{{Verkkoviite | osoite = https://ethw.org/Digh_Hisamoto | nimeke = Digh Hisamoto | viitattu = 6.11.2021 | kieli = {{en}} }}</ref><ref>{{Verkkoviite | osoite = https://people.eecs.berkeley.edu/~tking/presentations/KingLiu_2012VLSI-Tshortcourse | nimeke = FinFET History, Fundamentals and Future | tekijä = Tsu‐Jae King Liu | tiedostomuoto = PDF | ajankohta = 11.6.2012 | viitattu = 6.11.2021 | kieli = {{en}} }}</ref>
[[Chenming Hu]] on saanut [[IEEE]]:n tunnustuksen työstään kolmiulotteisen [[FinFET]]-transistorin kehittämisessä 1990-luvulla.<ref>{{Verkkoviite | osoite = https://spectrum.ieee.org/ieee-medal-of-honor-goes-to-transistor-pioneer-chenming-hu | nimeke = IEEE Medal of Honor Goes to Transistor Pioneer Chenming Hu The Life Fellow brought transistors into the third dimension | ajankohta = 3.3.2020 | viitattu = 22.10.2021 | kieli = {{en}} }}</ref>
| |||