Kanavatransistori
Kanavatransistori eli FET (engl. field effect transistor, kenttävaikutustransistori[1]) on transistori, jossa varauksenkuljettajien liikettä ohjataan puolijohdekanavassa vaikuttavan sähkökentän avulla.[2]
HistoriaMuokkaa
Kanavatransistorin saivat ensimmäisenä toimimaan John Atalla ja Dawon Kahng vuonna 1959.[3] Ratkaisun mukaan se sai nimen MOSFET.[3]
Digh Hisamoto kehitti tekniikkaa Delta Mosfetiin ja evämäisen pinnan käyttöön.[4][5]Chenming Hu on saanut IEEE:n tunnustuksen työstään kolmiulotteisen FinFET-transistorin kehittämisessä 1990-luvulla.[6]
Monikanavaiset transistorit ovat yleistyneet yhtenä teknologiana alle 32 nanometrin valmistusprosesseissa. Useat valmistajat mainitsevat käyttävänsä FinFET-teknologiaa suorittimissaan.
IBM on esitellyt vuonna 2017 ensimmäisenä viiden nanometrin GAAFET-tekniikkaa, joka voi korvata FinFET-tekniikan.[7] Myös MBCFET-tekniikkaa on tulossa vaihtoehtona.[8]
TekniikkaMuokkaa
On olemassa suuri joukko eri tyyppisiä FET-komponentteja. Dopingprofiilin mukaan FETit jakautuvat n-tyyppisiin ja p-tyyppisiin. Rakenteeltaan kaksi tärkeintä päätyyppiä ovat MOSFET (metallioksidi-puolijohdekanavatransistori eli eristehilatransistori) ja JFET (liitoskanavatransistori). MOSFETit jaetaan toimintaperiaatteeltaan avaustyyppisiin[9] ja tyhjennystyyppisiin[10].
FETeillä on yleensä kolme tai neljä liitosjohtoa: lähde-, nielu-, hila- ja substraattiliitosjohdot.[11][12][13] Substraattielektrodi on vain MOSFETillä.
Katso myösMuokkaa
LähteetMuokkaa
- Silvonen, Kimmo: Sähkötekniikka ja elektroniikka. Helsinki: Otatieto, 2003. ISBN 951-672-33-7.
ViitteetMuokkaa
- ↑ https://www.tiede.fi/artikkeli/jutut/artikkelit/transistori_60_v_maailma_mullistui_puolivahingossa
- ↑ IEC 60050 - International Electrotechnical Vocabulary - Details for IEV number 521-04-52: "field-effect transistor" www.electropedia.org. Viitattu 25.3.2022.
- ↑ a b 1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated Computer History Museum. Viitattu 16.8.2017. (englanniksi)
- ↑ Digh Hisamoto ethw.org. Viitattu 6.11.2021. (englanniksi)
- ↑ Tsu‐Jae King Liu: FinFET History, Fundamentals and Future (PDF) people.eecs.berkeley.edu. 11.6.2012. Viitattu 6.11.2021. (englanniksi)
- ↑ IEEE Medal of Honor Goes to Transistor Pioneer Chenming Hu The Life Fellow brought transistors into the third dimension spectrum.ieee.org. 3.3.2020. Viitattu 22.10.2021. (englanniksi)
- ↑ IBM unveils world’s first 5nm chip Ars Technica. Viitattu 7.6.2017.
- ↑ Where are my GAA-FETs? TSMC to Stay with FinFET for 3nm anandtech.com. 26.8.2020. Viitattu 26.3.2021. (englanniksi)
- ↑ IEC 60050 - International Electrotechnical Vocabulary - Details for IEV number 521-04-59: "enhancement type field-effect transistor" www.electropedia.org. Viitattu 25.3.2022.
- ↑ IEC 60050 - International Electrotechnical Vocabulary - Details for IEV number 521-04-58: "depletion type field-effect transistor" www.electropedia.org. Viitattu 25.3.2022.
- ↑ IEC 60050 - International Electrotechnical Vocabulary - Details for IEV number 521-07-07: "source (of a field-effect transistor)" www.electropedia.org. Viitattu 25.3.2022.
- ↑ IEC 60050 - International Electrotechnical Vocabulary - Details for IEV number 521-07-08: "drain (of a field-effect transistor)" www.electropedia.org. Viitattu 25.3.2022.
- ↑ IEC 60050 - International Electrotechnical Vocabulary - Details for IEV number 521-07-09: "gate (of a field-effect transistor)" www.electropedia.org. Viitattu 25.3.2022.
KirjallisuuttaMuokkaa
- Salste, Mikko; Porra, Veikko: Elektroniikka: sovelletun elektroniikan ja digitaalitekniikan perusteet. Otaniemi: Otakustantamo, 1973. ISBN 951-671-053-0.
- Silvonen, Kimmo; Tiilikainen, Matti; Helenius Kari: Analogiaelektroniikka. Helsinki: Edita, 2004 (2002). ISBN 951-37-3839-6.