Kanavatransistori eli FET (kanavavaikutustransistori, engl. Field effect transistor[1]) on transistori, jossa varauksenkuljettajien liikettä ohjataan puolijohdekanavassa vaikuttavan sähkökentän avulla.

HistoriaMuokkaa

MOSFET-tekniikan kehittivät John Atalla ja Dawon Kahng vuonna 1960.[2]

Monikanavaiset transistorit ovat yleistyneet yhtenä teknologiana alle 32 nanometrin valmistusprosesseissa. Useat valmistajat mainitsevat käyttävänsä FinFET-teknologiaa suorittimissaan.

IBM on esitellyt vuonna 2017 ensimmäisenä viiden nanometrin GAAFET-tekniikkaa, joka voi korvata FinFET-tekniikan.[3]

TekniikkaMuokkaa

On olemassa suuri joukko eri tyyppisiä FET-komponentteja. Dopingprofiilin mukaan FETit jakautuvat n-tyyppisiin ja p-tyyppisiin. Rakenteeltaan kaksi tärkeintä päätyyppiä ovat MOSFET (Metallioksidi-puolijohdekanavatransistori eli eristehilatransistori) ja JFET (Liitoskanavatransistori). MOSFETit jaetaan toimintaperiaatteeltaan avaustyyppisiin (enhancement) ja sulkutyyppisiin (depletion). FETeillä on yleensä kolme tai neljä liitosjohtoa. Gate (hila), drain (nielu), source (lähde) ja substrate (substraatti). Substrate-elektrodi on vain MOSFETillä. Elektrodien suomenkielisistä nimistä ainoastaan hila on vakiintunut, koska se on analoginen elektroniputken hilan kanssa, mutta muidenkin elektrodien suomenkieliset nimitykset ovat yleisessä tiedossa.

Katso myösMuokkaa

LähteetMuokkaa

  • Silvonen, Kimmo: Sähkötekniikka ja elektroniikka. Helsinki: Otatieto, 2003. ISBN 951-672-33-7.

ViitteetMuokkaa

KirjallisuuttaMuokkaa

  • Salste, Mikko; Porra, Veikko: Elektroniikka: sovelletun elektroniikan ja digitaalitekniikan perusteet. Otaniemi: Otakustantamo, 1973. ISBN 951-671-053-0.
  • Silvonen, Kimmo; Tiilikainen, Matti; Helenius Kari: Analogiaelektroniikka. Helsinki: Edita, 2004 (2002). ISBN 951-37-3839-6.