Ero sivun ”William Shockley” versioiden välillä

| kuolinaika = [[12.{{Kuolinaika elokuuta]]ja [[ikä|13|2|1910|12|8|1989]]}}

| alma mater =[[California Institute of Technology]]<br />[[Massachusetts Institute of Technology|MIT]]

| tunnetut työt = [[:en:point contact transistor | Pistekontaktitransistoripistekontaktitransistori]] ja [[:en:Junction_transistor_(disambiguation)|liitostransistori]].

'''William Bradford Shockley''' ([[13. helmikuuta]] [[1910]] &ndash;– [[12. elokuuta]] [[1989]]) oli [[Yhdysvallat|yhdysvaltalainen]] [[fyysikko]], [[tiedemies]] ja [[keksijä]]. Hän sai vuonna [[1956]] [[John Bardeen]]in ja [[Walter Houser Brattain]]in kanssa [[Nobelin fysiikanpalkinto|Nobelin fysiikanpalkinnon]] [[transistori]]n keksimiseen johtaneesta tutkimuksesta puolijohdeteknologian parissa.<ref name="Nobel">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/shockley-bio.html/ | Nimeke = William B. Shockley - Biographical| Julkaisu = Nobelprize.org. Nobel Media AB 2013 | Viitattu =20.1.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref> Shockleyn yritykset ja toimet uuden transistoriteknologian kaupallistamiseksi 1950- ja 1960-luvuilla johtivat [[Yhdysvallat|Yhdysvaltojen]] [[Kalifornia]]n osavaltiossa sijaitsevan [[piilaaksoPiilaakso]]n syntymiseen. Nykyisin piilaaksoPiilaakso on keskittymä, joka käsittää useita [[puolijohdeteollisuus|puolijohdeteollisuuden]] yrityksiä. Myöhemmässä elämässäänMyöhemmin Shockley toimi [[professori]]na [[Stanfordin yliopisto | Stanfordin yliopistossa]]ssa ja hänestä tuli [[eugeniikka | eugeniikan]] puolestapuhuja.

William Shockley syntyi 13. helmikuuta 1910 [[Lontoo]]ssa vuonna 1910. Hänen isänsä, amerikkalainen William Hillman Shockley, toimi kaivosinsinöörinä ja puhui kahdeksaa eri kieltä. William Shockleyn äiti, amerikkalainen Mary os. Bradford, valmistuioli valmistunut Stanfordin yliopistosta ja myös hän työskenteli kaivosteollisuudessa [[Nevada]]ssa. Kolme vuotta Shockleyn syntymän jälkeen perhe palasi takaisin Yhdysvaltoihin vuonna [[1913]]. <ref name="Nobel"/> <ref name="Shurkin">{{Kirjaviite | Nimeke = Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age | Julkaisija = Palgrave Macmillan | Vuosi = 2006 | Tekijä = Joel N. Shurkin | Isbn = 978-1-4039-8815-7 | Kieli = {{en}} }}</ref>

Shockley oli isänsä puolelta suoraan [[Mayflower]]-uudisraivaajien jälkeläinen ja hänet koulutettiin kotona noin kymmenen vuoden ikäiseksi. Jälkeenpäin on ajateltu, että Shockleyn vaikeudet tulla toimeen hänen kollegoidensa tai esimiestensä kanssa olivat peräisin näiltä ajoilta. Shockleyn turhautuminen toisiin ihmisiin on myös voinut olla peräisin siitä, että vuosia hän oli esimerkiksi luokkansa älykkäin oppilas. Poikana hän oli myös yksi lahjakkaista lapsista, joita amerikkalainen psykologi [[:en:Lewis Terman|Lewis Terman]] tutki edistyksellisissä, mutta rodullisesti arveluttavissa älykkyystesteissä. <ref name="NNDB">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.nndb.com/people/106/000026028/ | Nimeke = William Shockley | Julkaisu = NNDB tracking the entire world | Viitattu =20.1.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref>

William Shockley kävi koulunsa Kaliforniassa ja hän valmistui luonnontieteen [[kandidaatti | luonnontieteen kandidaatiksi]] [[California Institute of Technology]]stä vuonna [[1932]]. Myöhemmin Shockley opiskeli [[Massachusetts Institute of TechnologyssäTechnology]]ssa (MIT) professori [[:en: John C. Slater | John C. Slaterin]]in johdolla. Shockley väitteli MIT:ssä fysiikan tohtoriksi vuonna [[1936]] aiheena [[puolijohde|energiavyörakenne]] natriumkloridissa. <ref name="Nobel"/>

Heti tohtoriksi väiteltyään vuonna 1936, Shockley siirtyi tutkijaksi fysiikan tutkimuslaitokselle [[:en: Bell Labs | Bellin puhelinlaboratorioon]]. Hänen työnään ja tutkimuskohteinaan olivat mm.muun muassa [[elektroniputki | elektroni- eli tyhjiöputkien]] sekä elektronikertojien suunnittelu, [[tutka]]n kehitys, [[kiinteän olomuodon fysiikka]], [[magnetismi]] ja [[puolijohde | puolijohteet]]. <ref name="IRE">{{Verkkoviite | Osoite = http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?reload=true&arnumber=04050875&tag=1 | Nimeke = Contributors to Proceedings of the I.R.E. | Julkaisu = Proceedings of the I.R.E. 1952 | Viitattu =20.1.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref>

1930-luvun lopulla suuri osa kansainvälisestä fysiikan tiedeyhteisöstä työskenteli [[ydinfysiikka | ydinfysiikan]] ja [[fissio]]reaktion parissa. Myös Shockley ja hänen ystävänsä, James Fisk, määrättiin tutkimaan fission mahdollisuutta energianlähteenä. MiehetHe onnistuivatkin suunnittelemaan yhden maailman ensimmäisistä [[ydinreaktori | ydinreaktoreista]]. Heidän työnsä raportti lähetettiin välittömästi [[Washington_Washington (DC) | Washingtoniin]], missä hallitus luokitteli työn heti salaiseksi ja piti sen salassa jopa omilta tiedemiehiltään. Viranomaiset myös estivät Fiskiä ja Shockleytä saamaansaamasta työstään [[patentti]]a. Vasta sodan jälkeen [[Manhattan-projekti]]n fyysikot kuulivat reaktorista vasta sodan jälkeen. Samanaikaisesti he olivat kuitenkin kehittäneet ja keksineet samat asiat itse. <ref name="Bill Shockley 2">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.pbs.org/transistor/album1/shockley/shockley2.html | Nimeke = William Shockley, part 2 of 3 | Julkaisu = ScienCentral, Inc, and The American Institute of Physics | Viitattu =20.1.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref>

Toisen maailmansodan aikana Shockley osallistui myös tutkan kehitykseen ja tutkimukseen Whippanyn laboratoriossa, [[New Jersey]]ssä <ref name="Shurkin"/>, kunnes vuonna [[1942]] hän siirtyi tutkimusjohtajaksi [[Columbian yliopisto]]n sodan tutkimuslaitokselle. Hän johti tutkimusryhmää, jonka tehtävänä oli tutkia [[sukellusvene]]iden torjuntaa sodankäynnissä. Shockleyn tekemät laskelmat paransivat [[liittoutuneet | liittoutuneiden]] sukellusveneiden tekemien hyökkäysten tarkkuuksia saksalaisia sukellusveneitä vastaan. <ref name="NNDB"/>. Vuonna [[1944]] Shockley siirtyi [[:en: United States Department of War |sotaministeriön]] asiantuntijaksi. Shockley palasi takaisin Bellin laboratorioon vuonna [[1945]]. <ref name="IRE"/>

Ennen transistorin keksimistä esimerkiksi [[puhelinverkko|puhelinverkoissa]] käytettiin [[vahvistin|vahvistimina]] elektroniputkia. Elektroniputkien ongelmina oli kuitenkin suuri fyysinen koko, korkea hinta ja tehonkulutus, jonka takia ne myös lämpesivät käytössä voimakkaasti. Edelleen elektroniputket olivat epäluotettavia ja ne hajosivat helposti. Tästä syystä Yhdysvaltojen suurin [[teleoperaattori]] [[AT&T]] kääntyi oman tutkimuslaitoksensa eli Bellin puhelinlaboratorion puoleen ja pyysi tätä kehittämään elektroniputken korvaavan komponentin vahvistinkäyttöön puhelinverkoissa. <ref name="APS1">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.aps.org/publications/apsnews/200011/history.cfm | Nimeke = November 17 - December 23, 1947: Invention of the First Transistor | Julkaisu = American Physical Society | Viitattu =20.1.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref> <ref name="APS2">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.aps.org/programs/outreach/history/historicsites/transistor.cfm | Nimeke = John Bardeen, William Shockley, Walter Brattain. Invention of the Transistor - Bell Laboratories | Tekijä = Levine, Alaine G. | Julkaisu = American Physical Society | Viitattu =20.1.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref>

Shockleyn tavoitteena oli vahvistin, jossa puolijohteessa kulkevan [[sähkövirta|sähkövirran]] suuruutta voitaisiin säätää [[sähkökenttä|sähkökentällä]]. Laitetta ei saatu toimimaan eikä sähkökenttä näyttänyt tunkeutuvan aineeseen, jolloin Bardeen päätteli, että varaukset puolijohteen pinnassa estivät kentän tunkeutumisen syvemmälle puolijohteeseen. Bardeen ja Brattain työskentelivät tämän ongelman ratkaisemiseksi käytännössä ilman Shockleyta, kun he onnistuivat puolivahingossa saamaan ensimmäisen transistorin toimimaan joulukuun 16. päivänäjoulukuuta [[1947]]. Ensimmäisenä transistorivahvistimena toimi [[germanium]]pala, johon toisiaan lähelle oli kytketty kultakontaktit. Tällaista transistoria kutsuttiin [[:en:point contact transistor | pistekontaktitransistoriksipistekontaktitransistori]]ksi. Komponentti nimettiin Bellin laboratoriossa transistoriksi siksi, että laitteessa virta ohjasi jännitettä, eli kyseessä oli transresistanssi (siirtoresistanssi). Transistori on siis lyhenne transresistanssista. <ref name="Lehto">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.tiede.fi/artikkeli/jutut/artikkelit/transistori_60_v_maailma_mullistui_puolivahingossa | Nimeke = Transistori 60 v. Maailma mullistui puolivahingossa | Tekijä = Lehto, Arto | Julkaisu = Tiede | Viitattu =20.1.2014 | }}</ref>

Shockley oli ylpeä Bardeenin ja Brattainin saavutuksesta kehittää pistekontaktitransistori. Toisaalta hän oli raivoissaan, koska he olivat onnistuneet siinä missä hän oli itse epäonnistunut. <ref name="Bill Shockley 2"/>

[[FileTiedosto:Bardeen Shockley Brattain 1948.JPG|thumb|John Bardeen, William Shockley ja Walter Brattain Bellin laboratoriossa vuonna 1948.]]

[[FileTiedosto:Replica-of-first-transistor.jpg|thumb|Ensimmäisen pistekontaktitransistorin replika vuodelta 1997 (Lucent Technologies).]]

Pistekontaktitransistorin keksimisen jälkeen tammikuussa [[1948]] Shockley pystyi selittämään [[elektroni]]en liikkeen transistorissa. Samassa yhteydessä hän keksi uudentyyppisen transistorin eli [[:en:Junction_transistor_(disambiguation)|liitostransistorinliitostransistori]]n, joka koostui kolmesta puolijohdekerroksesta ja joka nopeasti syrjäytti pistekontaktitransistorin kokonaan. Liitostransistorin etuna oli se, ettei epäluotettavia pistekontakteja tarvittu.<ref name="Lehto"/> Liitostransistori myös soveltui [[massatuotanto]]on.

Patenttiasioiden takia Bellin laboratorio ei julkistanut transistorin keksimistä ennen kuin [[30. kesäkuuta]] [[1949]] pidetyssä lehdistötilaisuudessa. Keksinnön arvoa ei heti julkisuudesssa täysin ymmärretty, sillä esimerkiksi [[New York Times]] -lehdessä transistorin keksimisestä oli vain pieni artikkeli lehden keskisivuilla. <ref name="Lehto"/>

Bellin laboratorio oli myös hankalassa tilanteessa. Sen johto tiesi, että Bardeen ja Brattain olivat keksineet ja suunnitelleet ensimmäisen transistorin, eli pistekontaktitransistorin, itse, käytännössä ilman Shockleyta. Toisaalta Shockley oli tutkimusryhmän johtaja ja tuntui sopimattomalta, ettei hän saisi keksinnöstä kunniaa, varsinkin kun hän oli kehittänyt jopa paremman transistorin, eli liitostransistorin. Tästä johtuen laboratorion johto antoi määräyksen että jokaisessa kuvassa transistorin keksijöistä tulisi olla mukana William Shockley. Shockleyn tulisi myös toimia asiassa virallisena puhemiehenä. Tämä sopi Shockleylle, kun taas Bardeen ja Brattain eivät olleet kiinnostuneita julkisuudesta.<ref name="Bill Shockley 2"/> Joka tapauksessa vain noin vuoden kuluttua transistorin keksimisestä Bardeenin ja Brattainin välit Shockleyn kanssa heikkenivät voimakkaasti eivätkä Bardeen eikä Brattain enää työskennelleet transistorin jatkokehityksessä. Brattain myös kieltäytyi työskentelemästä enää Shockleyn kanssa ja Bardeen irtisanoutui. <ref name="Bill Shockley 3">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.pbs.org/transistor/album1/shockley/shockley3.html | Nimeke = William Shockley, part 3 of 3 | Julkaisu = ScienCentral, Inc, and The American Institute of Physics | Viitattu =20.1.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref>

[[FileTiedosto:ShockleyBldg.jpg|thumb|Shockley Semiconductor -yrityksen ensimmäinen sijaintipaikka Kaliforniassa. Piilaakson syntymisensynnyn katsotaan alkaneen tältä paikalta.]]

[[1950-luku|1950-luvun]] puolivälissä Shockley palasi takaisin Kaliforniaan. Syynä tähän oli erimielisyydet Bellin johdon kanssa, kuten kiistat keksijöiden nimistä transistoripatentissa. Shockleyn esteenä etenemiselle Bellissä on kuitenkin pidetty hänen omaa hiostavaa johtamistyyliään. Shockley irtisanoutui tehtävästään Transistorifysiikan laitoksen johtajana vuonna 1955.<ref name="Nobel"/>

Ensimmäiset transistorit käyttivät puolijohdemateriaalina germaniumia. Shockley kuitenkin ymmärsi, että [[Pii (alkuaine)|pii]] tulisi korvaamaan germaniumin lopulta puolijohdemateriaalina transistoreissa. [[Texas Instruments]] oli aloittanut piistä valmistettavien transistorien tuotannon vuonna [[1954]] ja Shockley ajatteli pärjäävänsä asiassa paremmin: hän perusti [[:en:Shockley Semiconductor Laboratory | Shockley Semiconductor Laboratory of Beckman Instruments]] -nimisen yrityksen [[Mountain View (Kalifornia)|Mountain View’hen]]hen Kaliforniaan vuonna [[1955]] yrittäjä [[:en:Arnold Orville Beckman|Arnold Beckmannin]] kanssa.<ref name="NNDB"/> Shockleysta tuli yrityksen [[toimitusjohtaja]]. Yrityksen toiminnan tarkoituksena oli puolijohdekomponenttien ja uuden transistorin tutkimus, kehitys ja valmistus.<ref name="Nobel"/> Shockley palkkasi yritykseensä ryhmän nuoria lahjakkaita tiedemiehiä ja insinöörejä.<ref name="NNDB"/>

Transistoreiden oheessa Shockley sai idean [[diodi]]sta, joka koostuisi neljästä kerroksesta ja jota voitaisiin käyttää [[kytkin|kytkimenä]] yksinkertaistamaan suuria ja monimutkaisia puhelinkytkinverkkoja. Tällaista diodia kutsutaan nykyisin [[:en:Shockley_diode|Shockley-diodiksidiodi]]ksi. Shockley tuli vakuuttuneeksi, että hänen keksimänsä uusi diodi olisi yhtä tärkeä keksintö kuin transistori ja hän piti koko diodi-projektin salaisena, jopa omassa yrityksessään. Shockleyn häilyvä, itsevaltainen ja arvaamaton johtamistyyli yhdistettynä vainoharhaisuuteen tekivät hänestä aivan liian hankalan yritysjohtajan.<ref name="Lehto"/> Kun Shockley päätti lopettaa piihin perustuvan puolijohdetutkimuksen parhaat työntekijät lopulta kyllästyivät ja perustivat uuden yrityksen nimeltä [[:en:Fairchild Semiconductor|Fairchild Semiconductor]] vuonna [[1957]].<ref name="NNDB"/> Shockley kutsui näitä henkilöitä ”kahdeksaksi petturiksi” ja totesi etteivät nämä koskaan tulisi menestymään. Kyseessä olevat kahdeksan henkilöä jättivät myöhemmin Fairchildin ja perustivat omia yrityksiään, kuten [[Intel]], [[AMD | Advanced Micro Devices]] jneja niin edelleen. Täten Shockley antoi siis alkusysäyksen Piilaakson syntymiselle Kaliforniassa.<ref name="Lehto"/>

Shockley ei koskaan kyennyt tekemään Shockley-diodista kaupallista menestystä, vaikka sen tekniikka ja toiminta lopulta ymmärrettiin ja laite saatiin tuotantoon 1960-luvulla.[[Mikropiiri | Integroitujen piirien]] tulo markkinoille mahdollisti kytkin-funktion tarvitseman usean transistorin integroinnin yhdelle ja samalle piipalalle, jolloin Shockley menetti oman ratkaisunsa edun. Shockley Semiconductor myytiin yritykselle Clevite Transistor huhtikuussa [[1960]]. <ref name="Shockley Semiconductor">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.pbs.org/transistor/background1/corgs/shocksemi.html | Nimeke = Shockley Semiconductor | Julkaisu = ScienCentral, Inc, and The American Institute of Physics | Viitattu =14.3.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref>

William Shockley ei missään vaiheessa rikastunut puolijohteilla. Sen sijaan Shockley Semiconductorista lähteneet kollegat ja Shockleyn alunperin palkkaamat tiedemiehet ja insinöörit rikastuivat nopeasti. Ilkikurisesti nykyisin eniten sekä [[Digitaalisuus |digitaalisissa]] logiikka- että [[Muistipiiri|muistipiireissä]] käytössä oleva transistorityyppi on ns.niin sanottu [[kanavatransistori]]. Shockleyn alkuperäisenä tavoitteena oli nimenomaan ollut kanavatransistorin kaltainen laite.<ref name="Lehto"/> Hän ei kuitenkaan missään vaiheessa valmistanut sellaista omassa yrityksessään.<ref name="Bill Shockley 3"/>

Shockley Semiconductor -yrityksen epäonnistuttua saamaan suurta kaupallista menestystä Shockley siirtyi [[professori]]ksi ja opettajaksi [[Stanfordin yliopisto]]on vuonna [[1963]]. <ref name="Nobel"/> Hän oli erinomainen opettaja ja hän oli tutkinut kuinka opettaa luovuutta ja ongelmanratkaisua. Hän myös työskenteli julkisissa kouluissa tarkoituksenaan auttaa opettajia opettamaan tiedettä.<ref name="Bill Shockley 3"/>

Stanfordin yliopistossa työskennellessään Shockley alkoi pitää puheita [[väestönkasvu]]n ongelmista. Vuonna [[1963]] hän piti puheen[[:en:Gustavus_Adolphus_College | Gustavus Adolphus yliopistossaCollege]]ssa [[Minnesota]]ssa puheen, jossa hän esitti, että vähiten lahjakkaimmatlahjakkaiden ihmisetihmisten lisääntyvätlisääntyvän nopeimmin, kun taas lahjakkain osa ihmisväestöstäväestöstä käytti [[syntyvyyden säännöstely]]ä ja sai vähemmän lapsia.<ref name="Bill Shockley 3"/> Shockleyn mukaan ihmiskunnan tulevaisuus oli uhattuna, koska pienemmän [[älykkyysosamäärä]]n omaavat ihmiset saivat enemmän jälkeläisiä kuin ihmiset, joilla oli korkea älykkyysosamäärä. Tämä taas johtaisi lopulta ihmiskunnan älykkyysosamäärän alenemiseen ja [[sivilisaatio]]n alasajoon. Tällainen ajattelutapa on eugeniikkaa eli [[rotuhygienia]]a.

Shockley väitti myös useita vuosia valkoisten olevan mustia geneettisesti parempia, mistä häntä laajasti paheksuttiin ja halveksuttiin laajasti.<ref name="Morrice">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.nytimes.com/2005/07/03/books/review/03MORRICE.html?ei=5088&en=859598b50aab62e1&ex=1278043200&partner=rssnyt&emc=rss&pagewanted=all&_r=1& | Nimeke = The Genius Factory: Test-Tube Superbabies | Julkaisu = The New York Times | Tekijä = Polly Morrice | Ajankohta = 12.2.2008 | Viitattu =14.3.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref> Hänen mielestään ihmisille, joilla oli matala älykkyysosamäärä tai jotka kantoivat geneettisiä sairauksia, tulisi maksaa, jotta he suostuisivat [[sterilisaatio]]on.<ref name="Kessler">{{Verkkoviite | Osoite = http://www1.hollins.edu/faculty/richter/327/AbsentCreation.htm | Nimeke = Absent at the Creation; How one scientist made off with the biggest invention since the light bulb | Julkaisu = The Washington Post Magazine | Tekijä = Ronald Kessler | Ajankohta = 6.4.1997 |Viitattu =14.3.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref> Shockley itse piti työtään tärkeänä ihmiskunnan [[Perinnöllisyystiede|genetiikan]] tulevaisuuden kannalta ja piti tätä tutkimusta oman uransa tärkeimpänä osa-alueena.

[[BiologiBiologia|Biologit]]t ja geneetikot lyttäsivät Shockleyn [[teoria]]t ja huomauttivat, että eugeniikka oli [[rasismi |rasistinen]] ajatelma, jota [[natsit]] olivat käyttäneet toisessa maailmansodassa. Eugeniikka oli myös vailla tieteellistä pohjaa.<ref name="NNDB"/> <ref name="Bill Shockley 3"/> Shockleytä vastaan hyökättiin lehdistössä, televisiossa ja tieteellisissä julkaisuissa. Lopulta Shockley ei voinut enää esiintyä julkisesti ilman, että mielenosoittajat eivät olisiolisivat tulleet paikalle. <ref name="Bill Shockley 3"/>

Vuonna [[1981]] [[:en:The The_Atlanta_JournalAtlanta Journal-Constitution | Atlanta Constitution -lehden]] toimittaja vertasi Shockleyn näkemyksiä [[Adolf Hitler]]in vastaaviin ja Shockley haastoi lehden oikeuteen kunnianloukkauksesta. Shockley voitti oikeudenkäynnin ja lehti tuomittiin vahingonkorvauksiin, mutta vain yhden dollarilla.<ref name="Kessler"/> Hän myös luovutti spermaa [[:en:Robert Klark Graham | Robert Klark Grahamin]]in perustamaan spermapankkiin, jota mediassa kutsuttiin ”Nobel-palkinto spermapankiksi”. Pankin tarkoituksena oli jatkaa ihmiskunnan parhaita geenejä <ref name="Morrice"/> ja Shockleyn tahtona oli taata omien geeniensä jatkumo.<ref name="Kessler"/>

Viimeisinä vuosinaan Shockley oli parjattu ja unohdettu ja hänen maineensa oli riekaleina. Hän vetäytyi kotiinsa Stanfordin yliopiston [[kampus|kampukselle]] ja eristäytyi kaikista muista ihmisistä paitsi uskollisesta vaimostaan. Shockley oli eronnut ensimmäisestä vaimostaan vuonna [[1955]] ja mennyt uusiin naimisiin joitakin kuukausia myöhemmin Emmy Lanning Shockleyn kanssa, joka toimi psykiatrisena sairaanhoitajana. Shockleyllä oli vain joitakin ystäviä ja viimeisinä vuosina hänen vaimonsa oli käytännössä hänen ainoa ystävänsä. Hän ei ollut nähnyt yhtä poikaansa yli 20 vuoteen, hän puhui harvoin toisen poikansa kanssa tai oli yhteydessä tyttäreensä. Shockley kuoli vuonna [[1989]] [[eturauhasen_syöpäeturauhasen syöpä|eturauhaussyöpään]]. Hänen lapsensa lukivat hautajaisista lehdestä. <ref name="NNDB"/><ref name="PaloAlto">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.paloaltohistory.com/william-shockley.php | Nimeke = William Shockley: Paranoia Runs Deep | Julkaisu = Palo Alto History. Com |Viitattu =14.3.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref>

* Shockley sai [[:en:Medal for Merit|Medal for Merit]] -mitalin vuonna 1946 työstään sotaministeriössä.<ref name="Nobel"/>

* Hän vastaanotti [[:en:IEEE_Morris_NIEEE Morris N._Liebmann_Memorial_Award |Liebmann Memorial Award|Morris Leibmann Memorial Prize of the Institute of Radio Engineers]] -palkinnon vuonna [[1952]].<ref name="Nobel"/>

* Vuonna [[1953]], hän sai Oliver E. Buckley Solid State Physics Prize of the American Physical Society -palkinnon.<ref name="Nobel"/>

* Vuonna [[1954]], hän vastaanotti [[:en:Comstock_Prize_in_PhysicsComstock Prize in Physics|Cyrus B. Comstock Award of the National Academy of Sciences]] -palkinnon.<ref name="Nobel"/>

* Vuonna [[1956]], Willam Shockley sai [[Nobelin_fysiikanpalkintoNobelin fysiikanpalkinto|fysiikan Nobel-palkinnon]] yhdessä entisten Bellin laboratorion kollegoidensa John Bardeenin ja Walter H. Brattainin kanssa työstään puolijohteiden parissa ja transistorin keksimisestä.<ref name="Nobel"/>

* Vuonna [[1963]], hänet valittiin Holley Medal of the American Society of Mechanical Engineers -mitalin vastaanottajaksi.<ref name="Nobel"/>

* Shockley valittiin [[kunniatohtori]]ksi [[Pennsylvanian yliopisto]]ssa, [[Rutgersin yliopisto]]ssa [[New Jersey]]ssäJerseyssä ja Gustavus Adolphus collegessaCollegessa Minnesotassa.<ref name="Nobel"/>

* Vuonna [[1980]] hän sai [[:en:IEEE_Medal_of_HonorIEEE Medal of Honor|Maurice Liebman Memorial -palkinnon]] IRE:ltä ([[:en:Institute_of_Radio_Engineers | Institute of Radio Engineers]]), (nykyisin [[:en:Institute_of_Electrical_and_Electronics_Engineers|Institute of Electrical and Electronics Engineers]] (IEEE)]]).

* Vuonna [[1999]] [[:en:Time|Time-lehdessä]] valittiin sata tärkeintä [[1900-luku|1900-luvulla]] elänyttä ihmistä, Shockley valittiin yhdeksi heistä.<ref name="PaloAlto"/>

Shockleyllä on työstään yli 50 patenttia. <ref name="Nobel"/> Alla on lueteltu joitakin tärkeimpiä.

* R. P. Johnson and W. Shockley, "An Electron Microscope for Filaments: Emission and Adsorption by Tungsten Single Crystals," ''Physical Review 49'', s. 436 - 440436–440, 1936.

* J. C. Slater and W. Shockley, "Optical Absorption by the Alkali Halides," ''Physical Review 50'', s. 705 - 719705–719, 1936.

* W. Shockley, "Electronic Energy Bands in Sodium Chloride," ''Physical Review 50,'' s. 754 - 759754–759, 1936.

* W. Shockley, "The Empty Lattice Test of the Cellular Method in Solids," ''Physical Review 52,'' s. 866 - 872866–872, 1937.

* W. Shockley, "On the Surface States Associated with a Periodic Potential," ''Physical Review 56,'' s. 317 - 323317–323, 1939.

* J. Steigman, W. Shockley and F. C. Nix, "The Self-Diffusion of Copper," ''Physical Review 56,'' s. 13 - 2113–21, 1939.