Ero sivun ”Puolijohdeteollisuus” versioiden välillä

Puolijohdeteollisuuden tuotteita valmistetaan useimmiten [[pii (alkuaine)|piikiekoille]], mutta myös [[lasi]]lle ja erilaisille [[keraami|keraameille]] sekä [[muovi|muoveille]] siirtämällä niiden pinnalle kaasu[[faasi]]ssa metalleja ja metallioksideja ohuiksi, jopa muutaman atomin paksuisiksi kalvoiksi. Tätä tekniikkaa kutsutaan [[ohutkalvon kasvatus|ohutkalvon kasvatukseksi]]. Ohutkalvorakenteet voivat olla hyvin monimutkaisia. Tyypillinen pinnoitusmenetelmä on [[CVD]] (Chemical Vapor Deposition) ja sen erilaiset muunnelmat. Suomessa teolliseksi prosessiksi kehitetty [[ALD-reaktori|ALD]] (Atomic Layer Deposition) on eräs muunnelma kaasufaasipinnoituksesta, jossa kalvoja pystytään rakentamaan atomikerroksittain. Kalvoja voidaan myös poistaa, kun halutaan muodostaa erilaisia johdekuviointeja ja silloin menetelmänä on syövytys, jota sanotaan myös [[etsaus (valmistustekniikka)|etsaukseksi]].