Ero sivun ”Kanavatransistori” versioiden välillä

'''Kanavatransistori''' eli '''FET''' (''Field effect transistor'') on [[transistori]], jossa [[varauksenkuljettaja|varauksenkuljettajien]] liikettä ohjataan puolijohdekanavassa vaikuttavan sähkökentän avulla. On olemassa suuri joukko eri tyyppisiä FET komponentteja. [[Doping (puolijohde)|Dopingprofiilin]] mukaan FETit jakautuvat n-tyyppisiin ja p-tyyppisiin. Rakenteeltaan kaksi tärkeintä päätyyppiä ovat [[MOSFET]] (Metallioksidi-puolijohdekanavatransistori eli eristehilatransistori) ja [[JFET]] (Liitoskanavatransistori). MOSFETit jaetaan toimintaperiaatteeltaan avaustyyppisiin (enhancement) ja sulkutyyppisiin (depletion). FETeillä on yleensä kolme tai neljä liitosjohtoa. Gate (Hila), Drain (Nielu), Source (Lähde) ja Substrate. Substrate elektrodi on vain MOSFETillä. Elektrodien suomenkielisistä nimistä ainoastaan [[hila]] on vakiintunut koska se on analoginen [[elektroniputki|elektroniputken]] hilan kanssa mutta muidenkin elektrodien suomenkieliset nimitykset ovat yleisessä tiedossa.