Ero sivun ”Galliumarsenidi” versioiden välillä

'''Galliumarsenidi''' (GaAs) on III-V-puolijohteisiin kuuluva [[puolijohde|yhdistepuolijohde]], joka on [[gallium]]in ja [[arseeni]]n yhdiste. Galliumarsenidi kilpailee [[pii (alkuaine)|pii]]pohjaisten puolijohdemateriaalien kanssa, ja on niitä nopeampi [[transistori|transistorina]]. GaAs-puolijohteita käytetään [[kännykkä|kännyköiden]] radiolähettimien [[MMIC]] (Monolithic Microwave Integrated Circuit) piireissä, [[laser|laserdiodeissa]], [[infrapuna]]-[[LED]]eissä ja [[aurinkokenno|aurinkokennoissa]]. 80-luvulla oli suunnitelmia korvata GaAs-puolijohteilla piipohjaiset ja joitakin GaAs-tekniikkaan pohjautuvia tietokoneita valmistettiinkin 90-luvun alussa, mutta [[CMOS]]-tekniikka voitti kilpailun.

 

 

Galliumarsenidia voidaan valmistaa galliumista ja arseenista korkean paineen alaisena.<ref name="kirk-othmer" />