'''Kanavatransistori''' eli '''FET''' (''Field effect transistor''). Fettejä on kahta[[transistori]], päätyyppiä:jossa [[MOSFETvarauksenkuljettaja|varauksenkuljettajien]] (Metalli-liikettä puolijohdekanavatransistoriohjataan taipuolijohdekanavassa eristehilatransistori)vaikuttavan jasähkökentän JFETavulla. (Liitoskanavatransistori)On olemassa suuri joukko eri tyyppisiä FET komponentteja. [[JFETDoping (puolijohde)|Dopingprofiilin]]:itjakaantuvatmukaan FETit jakautuvat n-kanava,tyyppisiin ja p-kanavatyyppisiin. jaRakenteeltaan mesfetkaksi tyyppeihin.tärkeintä MOSFET:itpäätyyppiä jakaantuvatovat avaustyyppiin[[MOSFET]] (enhancementMetallioksidi-puolijohdekanavatransistori eli eristehilatransistori) ja sulkutyyppiin[[JFET]] (depletionLiitoskanavatransistori). NämäMOSFETit taasjaetaan n-toimintaperiaatteeltaan avaustyyppisiin (enhancement) ja p-kanaviinsulkutyyppisiin(depletion). Fetillä FETeillä on yleensä kolme tai neljä (mosfetillä) liitosjohtoa. Gate (Hila), Drain (Nielu), Source (Lähde) ja Body (substraatti)Substrate. BodySubstrate elektrodi on vain MOSFET:illäMOSFETillä. SuomenkielisistäElektrodien suomenkielisistä nimistä ainoastaan Hila[[hila]] on vakiintunut, koska se on analoginen [[elektroniputki|elektroniputken]] hilan kanssa mutta muutkinmuidenkin elektrodien suomenkieliset nimitykset ovat yleisessä tiedossa.
