Ero sivun ”CMOS-kenno” versioiden välillä
| [arvioimaton versio] | [arvioimaton versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Ei muokkausyhteenvetoa |
|||
Rivi 3:
[[CMOS]]-kennot tulivat markkinoille 1998 [[CCD-kenno|CCD-kennojen]] vaihtoehdoksi,
ja CMOS-kennojen käyttö on sen jälkeen pikkuhiljaa lisääntynyt ja syönyt markkinoita CCD-kennoilta sekä markkinoiden ala- että yläpäästä ([[kännykkä|kännykkäkamera]]t sekä digitaaliset [[järjestelmäkamera]]t)
Perinteinen CCD-kenno oli yksinkertainen laite, jossa jokainen [[pikseli]] vain reagoi valoon ja talletti valon siihen aiheuttaman varauksen, ja varaus siirretään piirillä eteenpäin käsittelyä ja lukemista varten, ja mm. [[AD-muunnos]] tehdään erillisellä piirillä. Varauksen siirto pikseliltä eteenpäin kuluttaa verrattain paljon sähköä.
Rivi 9:
CMOS-kennossa sen sijaan jokaisessa pikselissä itsessään tehdään muunnos varauksesta jännitteeksi sekä signaalin vahvistus, jolloin varausta ei tarvitse siirtää kennopiirillä mihinkään, mistä johtuen CMOS-kennoilla päästään yleensä pienempään virrankulutukseen kuin CCD-kennoilla. Lisäksi mm. AD-muunnos tehdään CMOS-kennoilla yleensä itse kennopiirillä, jolloin CMOS-kennon kanssa tarvitaan kameraan vähemmän muita piirejä.
Tutkimustyö alkoi 1963 (RCA Sarnoff Labs). Nykyisin käytettävä kuvasensorityyppi kehitettiin 1990-luvun loppupuolella. CMOS-kennot ovat nopeampia ja halvempia kuin CCD-kennot. Ne kuluttavat virtaa vain noin
==Lähteet==
| |||