Ero sivun ”Ohutkalvon kasvatus” versioiden välillä

 

* Höyrystyspinnoituksessa kasvatusaineena käytettävä metalli kuumennetaan sulaksi, jotta sen höyrynpaine saadaan sopivalle tasolle. Tämä tehdään tyhjiössä, jotta höyry saavuttaisi substraatin pinnan reagoimatta tai törmäämättä muiden reaktioastian kaasufaasissa olevien aineiden kanssa. Tyhjiössä jää myös epäpuhtauksien määrä poistokaasuissa vähäiseksi. Rajoituksena pinnoituksessa on se, että kuumentavien pintojen höyrynpaineen pitää olla huomattavasti pienempi kuin itse pinnoitettavan materiaalin, jotta epäpuhtauksien määrä kasvatettavassa kalvossa jäisi vähäiseksi. Molekyylisuihkuepitaksi(MBE Molekular Beam Epitaxy)-kalvonkasvatus on höyrystysmenetelmän erikoistapaus.

* [[sputteri|Sputterointi]] perustuu [[jalokaasu]]jen kuten [[argon]] plasmalla tapahtuvaan kasvatusmateriaalin (kohtion) pommitukseen, josta irtoaa muutamia atomeja kerrallaan. Kohtio voidaan pitää suhteellisen kylmänä, koska kyseessä ei ole höyrystysprosessi, minkä vuoksi sputteri on joustavimpia kalvonkasvatuslaitteita. Alhainen lämpötila käytettäessä yhdisteitä tai seoksia, jossa toisella materiaalilla olisi taipumus höyrystyä eri nopeudella. Sputteroitu kalvo kasvaa pääasiassa tasaisesti eri pinnan suunnille.

* Pulssitettu [[laser]]-avusteinen kalvonkasvatus toimii [[eroosio]]periaatteella. Lasersäteen pulssi kohdistetaan kasvatusmateriaalin pintaan, josta irtoaa materiaalia plasmatilassa. Tämä plasma yleensä kaasuuntuu ennen kuin se kohtaa substraatin.