Versio 25. maaliskuuta 2022 kello 00.26 muokkaa Jähmefyysikko (keskustelu \| muokkaukset) automaattiseulotut käyttäjät 3 689 muokkausta electropedia-lähde seostukselle Merkkaus: 2017 source edit ← Vanhempi muutos		Versio 25. maaliskuuta 2022 kello 00.36 muokkaa kumoa Jähmefyysikko (keskustelu \| muokkaukset) automaattiseulotut käyttäjät 3 689 muokkausta doping k-en mallineen sisään Merkkaus: 2017 source edit Uudempi muutos →
Rivi 1: {{Tämä artikkeli\|käsittelee puolijohteiden valmistamista. Urheilusuoritusten luvattomasta parantamisesta katso [[doping]].}} [[Tiedosto:MIOS esq.png\|thumb\|Eräs puolijohderakenne]] '''Douppaus''', ~~'''~~({{k-en\|doping~~'''~~}}) eli '''seostaminen'''<ref>{{Verkkoviite\|osoite=https://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/display?openform&ievref=521-03-05\|nimeke=IEC 60050 - International Electrotechnical Vocabulary - Details for IEV number 521-03-05: "doping (of a semiconductor)"\|julkaisu=www.electropedia.org\|viitattu=2022-03-24}}</ref> tarkoittaa [[puolijohde\|puolijohteiden]] (puolijohdekomponenttien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esimerkiksi [[pii (alkuaine)\|pii]], [[germanium]], [[seleeni]], [[arseeni]]). Tällöin saadaan materiaaliin halutunlaiset [[sähkö]]iset ominaisuudet. Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta, on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100 000 000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10 000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä ''n+'' n-tyypin douppaukselle ja ''p+'' p-tyypin douppaukselle.

Ero sivun ”Douppaus” versioiden välillä