Ero sivun ”CMOS” versioiden välillä
| [katsottu versio] | [katsottu versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Ei muokkausyhteenvetoa |
Ei muokkausyhteenvetoa |
||
Rivi 6:
Ennen CMOS-tekniikkaa oli käytössä tekniikka, jossa transistoreita oli vain yksi, ja toisessa välissä oli vastus. Tästä oli seurauksena se, että aina signaalin ollessa "väärässä asennossa" vastuksen läpi virtasi sähkövirta, joka aiheutti piirille suuren sähkönkulutuksen, vaikka piiri ei vaihtaisikaan tilaa.
CMOS mahdollisti selvästi pienemmän
CMOS-tekniikalla pääsi jopa 15mA virran verrattuna 110mA virtaan.<ref name="shmj">http://www.shmj.or.jp/english/pdf/ic/exhibi727E.pdf</ref> CMOS oli kuitenkin hidas ja NMOS säilyi käytössä nopeutta vaativissa kohteissa.<ref name="shmj" />
Piirien valmistustekniikan kehityttyä ja piirien käytyä hyvin pieniksi myös auki olevasta transistorista on alkanut vuotaa läpi sähkömääriä, jotka vaikuttavat piirin virrankulutukseen. Tästä syystä CMOS-kalvorakenteisiin on lisätty eristekalvoja, kuten [[high-k-eriste]]. Virrankulutuksen pienentämiseksi 2000-luvun vaihteessa tehty johdinmateriaalin vaihtaminen [[alumiini]]sta [[kupari]]in johti siihen, että kalvorakenteisiin täytyi lisätä [[titaaninitridi]]-pohjaisia barrier-kalvoja [[diffuusio]]n estämiseksi, koska kupari diffundoituu helposti kalvojen läpi ja tuhoaa [[puolijohde|puolijohteen]].
| |||