Ero sivun ”DRAM” versioiden välillä

 

== Dynaamisten muistipiirien historia ==

Ensimmäinen dynaaminen integroitu muistipiiri oli [[Intel 1103]], jonka koko oli 1&nbsp;kbit<ref>[http://inventors.about.com/library/weekly/aa100898.htm Mary Belis: Inventors of the Modern Computer, The Invention of the Intel 1103 - The World's First Available DRAM Chip; Invetors, About.com]</ref>. 1&nbsp;Mbit muistikoko saavutettiin 1984 ja 1&nbsp;Gbit 1990-luvun lopulla<ref>[http://maltiel-consulting.com/Semiconductor_technology_memory.html Memory, Semiconductor Technology Online]</ref>.

 

== DRAM-protokollan yleispiirteet ja piirien rakenne ==

DRAM-piirien muistiosoite koostuu kahdesta osasta, rivi- ja sarakeosoitteesta.

Näihin molempiin käytetään yhteisiä osoitelinjoja. Tyypillisesti osoitteen ylimmät bitit sisältävät rivin, alimmat bitit sarakkeen.

 

=== Käyttöjännite ===

SDRAM toimii 3,3 voltilla, FPM ja EDO (pakkaus yleensä on [[SIMM]]) toimivat 5 voltilla.

 

 

== DRAM muistityypit ==

DRAM-muistityyppejä on kehitetty useita eri versioita kuten: FPM, EDO, SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 ja DDR4.

 

 

Mobiililaitteissa kuten puhelimissa käytetään DRAM-muistien vähävirtaista versiota.<ref>{{Verkkoviite | osoite = http://www.pcworld.com/article/136700/article.html | nimeke = DRAM Finds Home in Cell Phones | julkaisija = PC World | julkaistu = 3.9.2007 | viitattu = 15.1.2017}}</ref>

 

=== FPM ===

FPM ({{k-en|Fast Page Mode}}) on 1990-luvun alussa esitelty muistityyppi.<ref name="pcmagpagemode">{{Verkkoviite | osoite = http://www.pcmag.com/encyclopedia/term/48771/page-mode-memory | nimeke = Definition of: page mode memory | julkaisija = PC Mag | viitattu = 15.1.2017}}</ref>

 

 

=== EDO ===

EDO ({{k-en|Extended Data Out RAM}}) tuli käyttöön 1990-luvun puolivälissä.<ref>{{Verkkoviite | osoite = http://www.pcmag.com/encyclopedia/term/42387/edo-ram | nimeke = Definition of: EDO RAM | julkaisija = PC Mag | viitattu = 15.1.2017}}</ref>

 

SDRAM-muistien hakuaika ilmoitetaan kellojaksolukemina eli paljonko menee aikaa signaalin jälkeen ennen kuin piiri antaa dataa tai voidaan antaa seuraava ohjaussignaali piirille.

 

 

Jos luetaan dataa täysin uudesta osoitteesta, pitää siis odottaa molempien viiveiden summan verran, mutta jos luetaan dataa samalta riviltä kuin mistä viimeksi luettiin, riittää pelkkä CAS-viive.

 

=== SGRAM ===

SGRAM ({{k-en|Synchronous graphics RAM}}) on näytönohjaimien grafiikkamuistiin tarkoitettu erikoistunut versio [[SDRAM]]ista. Esimerkkejä toiminnoista ovat "Block Write" ja "Mask Write".<ref>{{Verkkoviite | osoite = http://www.pcmag.com/encyclopedia/term/51223/sgram | nimeke = Definition of: SGRAM | julkaisija = PC Mag | viitattu = 15.1.2017}}</ref>

 

 

=== DDR2 SDRAM ===

Tietoa siirretään DDR2-muistissa sekä nousevalla että laskevalla kellopulssilla, kuten DDR-muistissakin.

 

 

=== DDR3 SDRAM ===

DDR2:ta seuraava kehitysaskel on DDR3-muisti. DDR3-muistit on suunniteltu kasvattamaan suorituskykyä ja alentamaan tehonkulutusta DDR2-muisteihin verrattuna. DDR3 käyttää 1,5 voltin jännitettä.<ref name="ddr3">{{Verkkoviite| Nimeke=DDR3-teknologia- ja muistikatsaus| Osoite=http://muropaketti.com/artikkelit/muistit-ja-tallennus/ddr3-teknologia-ja-muistikatsaus,1 | Ajankohta=13.3.2009| Julkaisu=muropaketti.com | Viitattu=2009-04-04}}</ref> DDR3-moduuli on ulkomitoiltaan samankokoinen kuin DDR2, mutta ei ole yhteensopiva sen kanssa. Muistimoduulin reunassa oleva lovi on eri paikassa, mikä estää muistin asentamisen DDR2-kantaan.<ref>{{Verkkoviite | Osoite = http://www.kingston.com/newtech/ddr3/ddr3_ddr2.asp | Nimeke = DDR3 vs. DDR2 Module | Tekijä = | Tiedostomuoto = | Selite = | Julkaisu = | Ajankohta = | Julkaisupaikka = | Julkaisija = Kingston Technology Company | Viitattu = 11.1.2011 | Kieli = {{en}} }}</ref>

 

 

=== DDR4 SDRAM ===

DDR3:a seuraava kehitys askel on DDR4. Se käyttää 1,2 voltin jännitettä. Sen kellotaajuus on alkaen 2133 MHz ja on jopa 3200 MHz.<ref>{{Verkkoviite | Osoite = http://www.micron.com/products/dram/ddr3-to-ddr4 | Nimeke = "DDR4 – Advantages of Migrating from DDR3" | Tekijä = | Tiedostomuoto = | Selite = | Julkaisu = | Ajankohta = | Julkaisupaikka = | Julkaisija = | Viitattu = 30.6.2015 | Kieli = {{en}}}}</ref><ref name="ddr4eng">{{Verkkoviite | osoite = https://www.engadget.com/2012/09/26/final-ddr4-specification/ | nimeke = JEDEC announces final DDR4 RAM specification | julkaisija = Engadget | julkaistu = 26.9.2012 | viitattu = 15.1.2017}}</ref>

 

 

== Muita DRAM-muistityyppejä ==

Muita DRAMiin perustuvia ei-yleistyneitä muistipiirityyppejä ovat [[SLDRAM]], [[QDR SDRAM]] ja Rambus [[RDRAM]].

 

=== Rambus ===

DDR-SDRAMin kilpailijana oli alkuaikoina Intelin tukema Rambus-yhtiön [[RDRAM]], josta yhtiö päätti vuonna 1996 tulevan seuraavan muistityypin. Sitä tukeva emolevy esiteltiin [[1999]]. DDR-SDRAM oli kuitenkin halvempaa valmistaa, lisäksi RDRAMin lisenssi, jonka vain harvat valmistajat hankkivat, oli kallis. Valmistajien vähyys lisäsi muistityyppien hintaeroa. Lisäksi vaikutusvaltaisen Tom's Hardwaren testissä RDRAMin suorituskyky oli korkeintaan 3 % parempi kuin SDRAMilla, ja joissain tapauksissa huonompi.<ref>{{Verkkoviite | Osoite = http://www.tomshardware.com/reviews/performance-impact-rambus,81.html | Nimeke = Performance Impact of Rambus | Tekijä = | Julkaisu = Tom's Hardware | Ajankohta = | Julkaisupaikka = | Julkaisija = | Viitattu = 21.1.2011 | Kieli = }}</ref> Intel luopui RDRAMista kokonaan vuoteen 2003 mennessä.

 

 

=== GDDR ===

GDDR on grafiikkakäyttöön kuten näytönohjaimiin erikoistunut versio DDR-muistista. GDDR-standardeja ovat esimerkiksi [[GDDR3]] ja [[GDDR5]].

 

=== Embedded DRAM (eDRAM) ===

Mikropiirille integroitu DRAM-tyyppi.

 

== Mobile DDR ==

''Mobile DDR'' (myös nimillä ''mDDR'', ''Low Power DDR'', tai ''LPDDR'') on vähävirtainen versio DDR-muistista mobiililaitteisiin.

 

==Lähteet==

{{Viitteet}}

 

==Kirjallisuutta==