Ero sivun ”SRAM” versioiden välillä

[katsottu versio][katsottu versio]
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
fix, aakkostus turha
Ipr1 (keskustelu | muokkaukset)
Ei muokkausyhteenvetoa
 
Rivi 3:
[[Kuva:SRAM_Cell_(6_Transistors).svg|pienoiskuva|250px|Kuuden transistorin SRAM-muistisolu.]]
[[Kuva:Hyundai RAM HY6116AP-10.jpg|pienoiskuva|260px|Hyundai RAM -mikropiiri.]]
'''SRAM''' ({{lyhenne|Static Random Access Memory}}) eli staattinen [[RAM-muisti]] on [[puolijohde]]tekniikalla toteutettu [[muisti (tietokone)|muistityyppi]].

SRAM eroaa [[DRAM]]-muistista siten, että DRAM-muistikennon [[kondensaattori]]a on virkistettävä säännöllisesti, koska muutoin se kadottaa tietonsa. SRAM-muistisolu koostuu [[Kiikku (tietokonetekniikka)|kiikkupiiristä]], joka on toteutettu muutamalla [[transistori]]lla. Kiikkupiiri on asetetun tilansa säilyttävä eli staattinen niin pitkään kuin käyttöjännite on kytkettynä, joten tarvetta virkistykselle ei ole. SRAMista voidaan tehdä erittäin nopeaa, koska data voidaan lukea suoraan solun ulosmenolinjalta ilman erityistoimenpiteitä, ja SRAM voidaan valmistaa samalla nopealla logiikkaprosessilla kuin yleiskäyttöiset piirit. SRAM-muisti sijaitsee usein fyysisesti samalla [[mikropiiri]]llä kuin sitä käyttävä [[suoritin]], kun puolestaan DRAM sijaitsee omalla piirillään. SRAM vaatii n. 6−8 kertaa enemmän tilaa piiriltä kuin DRAM, eli samaan tilaan ja samalla hinnalla saadaan valmistettua 6−8 kertaa enemmän DRAM-muistia kuin SRAM-muistia, mistä syystä SRAMia käytetään lähinnä [[puskurimuisti|puskuri-]] ja [[välimuisti]]na sekä esimerkiksi paristovarmennettuna asetusmuistina.
 
SRAM-piirien rajapinta on tyypillisesti erilainen kuin DRAM-piirien; SRAM-piireillä on tyypillisesti täysleveä osoiteväylä, jolloin koko osoite voidaan syöttää kerralla, eikä osoitteen syöttämisestä useammassa osassa aiheudu ylimääräistä viivettä, kuten DRAMin kohdalla.
Noudettu kohteesta ”https://fi.wikipedia.org/wiki/SRAM