Ero sivun ”SSD” versioiden välillä

MLC (Multi Level Cell) ja SLC (Single Level Cell) ovat [[NAND-Flash]] tekniikan osia, solutyyppejä. Nelitilainen MLC on edullisempi mutta vikaherkempi, [[binäärinen]] SLC on nopeampi ja kalliimpi. MLC soluja tarvitaan puolet vähemmän kuin kaksitilaisia, mutta noin puolet suurempi virheenkorjausbittien tarve vie osan saadusta hyödystä. <ref>{{Verkkoviite | Osoiteosoite = http://www.storagesearch.com/siliconsys-art1.html| Nimeke = | Tekijänimeke = |Increasing TiedostomuotoFlash = | Selite =SSD Reliability| Julkaisu = | Ajankohtatekijä = | Julkaisupaikka =storagesearch.com | Julkaisijaajankohta = Storagesearch| Viitattuviitattu = 2.7.2008 | Kielikieli = {{en}} }} </ref> <ref>{{Verkkoviite | Osoiteosoite = http://www.electronicsweekly.com/blogsmannerisms/david-manners-semiconductor-blog/2007/06memory/the-potential-for-solid-state.html| Nimeke =-2007-06/ | Tekijänimeke = |Serious TiedostomuotoSSDs =Look | Selite =Possible | Julkaisutekijä = |electronicsweekly.com: AjankohtaDavid =Manners | Julkaisupaikkaajankohta = |26.6.2007 Julkaisija = electronicsweekly| Viitattuviitattu = 2.7.2008 | Kielikieli = {{en}} }} </ref> Vähiten uudelleenkirjoitusta kestää TLC-tekniikka.

30. tammikuuta 2010 [[Intel-Micron Flash Technologies]] julkisti 25 nm:n valmistusprosessin MLC-NAND -muistille.<ref>[{{Verkkoviite | osoite = http://www.anandtech.com/storageshow/showdoc.aspx?i=37312928 AnandTech:| nimeke = Intel & Micron Announce 25nm NAND Flash Production] | tekijä = Anandtech: Anand Lal Shimpi | ajankohta = 30.1.2010 | viitattu = 1.2.2015 | kieli = {{en}}}}</ref>

Uudelleenkirjoitusten määrää tekniikoittain:<ref>{{Verkkoviite | osoite = http://muropaketti.com/samsung-julkaisi-840-evo-ssd-asemat | nimeke = Samsung julkaisi 840 EVO -SSD-asemat | tekijä = Muropaketti: Ville Suvanto | ajankohta = 18.7.2013 | viitattu = 1.2.2015 | kieli = {{fi}}}}</ref>