Ero sivun ”Galliumarsenidi” versioiden välillä
| [arvioimaton versio] | [katsottu versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Ei muokkausyhteenvetoa |
Ei muokkausyhteenvetoa |
||
Rivi 16:
GaAs on suora-aukkoinen puolijohde, ja se kykenee emittoimaan valoa. GaAs- ja muita III-V pohjaisia lasereita käytetään laajalti eri sovelluksissa. Esimerkkejä tällaisista III-V puolijohteiden sovelluksista on optinen tiedonsiirto (kännykkäpuhelut, internet), CD, DVD, blu-ray soittimet, viivakoodin lukijat, ym. Esimerkiksi internetistä lataamasi tieto kulkee III-V puolijohdelaserien tuottamina valopulsseina optisessa kuidussa.
GaAs-pohjaisilla aurinkokennoilla, joissa on myös mukana [[germanium]]ia ja indiumgalliumfosfidia InGaP muodostamassa kolmiportaisen aurinkokennon, on saavutettu 32 % hyötysuhde. Tämä pystyy myös toimimaan suurilla useilla kymmenillä tai sadoilla maanpinnan auringon tehoa vastaavilla valotehoilla. [[Mars]]in pinnalla liikkuvat robotit käyttävät tämäntyyppisiä aurinkokennoja.
Sharp ilmoitti valmistaneensa GaAs-pohjaisen 44,4% hyötysuhteella toimivan aurinkokennon 14.6.2013. Edellinen ennätys oli amerikkalaisen Solar Junction nimisen
Galliumarsenidia voidaan valmistaa galliumista ja arseenista korkean paineen alaisena.<ref name="kirk-othmer" />
| |||