Ero sivun ”Douppaus” versioiden välillä

60 merkkiä lisätty ,  12 vuotta sitten
ei muokkausyhteenvetoa
p (kh)
[[Kuva:MIOS esq.png|thumb|240px|right|Eräs puolijohderakenne]]
'''Doping''' “douppaus” eli "douppaus"'''seostaminen''' tarkoittaa [[puolijohde|puolijohteiden]] (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esimerkiksi [[pii (alkuaine)|pii]], [[germanium]], [[seleeni]], [[arseeni]]). Tällöin saadaan komponenttiinmateriaaliin halututhalutunlaiset [[sähkö]]iset ominaisuudet.
 
Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1  jokaista 100, 000, 000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1  jokaista 10, 000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä ''n+'' n-tyypin doppaukselle ja ''p+'' p-tyypin douppaukselle.
 
Puolijohdekomponentteja ovat muun muassa [[led]]it, [[tyristori]]t, [[diodi]]t ja [[transistori]]t joita sisältävät [[mikropiiri]]t ovat [[mikroprosessori]]- ja [[tietokone]]tekniikan peruskomponentteja.
836

muokkausta