Ero sivun ”Douppaus” versioiden välillä
| [arvioimaton versio] | [arvioimaton versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
p siirsi sivun ”Douppaus” uudelle nimelle ”Doping (puolijohde)”: Kts keskustelusivu |
p Täsmennystä botin avulla: Pii korvattiin link(e)illä pii (alkuaine) |
||
Rivi 1:
[[Kuva:MIOS esq.png|thumb|240px|right|Eräs puolijohderakenne]]
'''Doping''' eli "douppaus" tarkoittaa [[puolijohde|puolijohteiden]] (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esimerkiksi [[pii (alkuaine)|pii]], [[germanium]], [[seleeni]], [[arseeni]]). Tällöin saadaan komponenttiin halutut [[sähkö]]iset ominaisuudet.
Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100,000,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä n+ n-tyypin doppaukselle ja p+ p-tyypin douppaukselle.
| |||