Ero sivun ”Transistori” versioiden välillä

[arvioimaton versio][arvioimaton versio]
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
VolkovBot (keskustelu | muokkaukset)
Tiikoni (keskustelu | muokkaukset)
p Kanta vei täsm.sivulle josta vain linkki takaisin tänne
Rivi 10:
== Bipolaaritransistorin toiminta ==
 
Bipolaaritransistorissa on kolme liitospistettä: [[kollektori]] C (Collector), [[kanta]] B (Base) ja [[emitteri]] E (Emitter).
 
NPN-tyypin bipolaaritransistorissa vahvistettava virta viedään kannalle, jolloin emitteriltä virtaa elektroneja kannan alueelle. Kannalle joutuneista elektroneista suurin osa joutuu kuitenkin kollektorilla olevan voimakkaan positiivisen sähkökentän imaisemiksi, jolloin kollektorilta emitterille on suurempi virta kuin kannalta emitterille. Tämä ilmiö mahdollistaa vahvistuksen. NPN transistori tulee tyypillisesti johtavaksi, kun kantajännite B välillä +0,5 - +0,7V ja samanaikaisesti kollektori emitterijännite-ero on vähintään +0,1V.