Ero sivun ”Ohutkalvon kasvatus” versioiden välillä
[arvioimaton versio] | [arvioimaton versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
p Botti poisti: zh:薄膜沉积 |
|||
Rivi 7:
==Kemialliset kalvonkasvatustekniikat==
Kemiallisessa kasvatuksessa virtaava lähtöaine ("prikursori", eng precursor) aiheuttaa kemiallisen reaktion kiinteällä pinnalla
Kemiallinen kalvonkasvatus jakautuu kahteen osaan riippuen siitä, onko lähtöaine [[neste]] vai [[kaasu]]:
* ''[[Elektrolyysi|Galvaaninen]] pinnoitus'', (eng. plating) perustuu nestelähtöaineisiin, usein [[suola|metallisuolojen]] vesiliuoksiin. Jotkut pinnoitusprosessit toimivat vain liuoksissa olevilla reaktioaineilla, mitä käytetään tavallisesti [[jalometalli|jalometalleilla]]. Kaikista eniten käytetty kaupallinen prosessi sähkökemiallinen pinnoitus ([[elektrolyysi|galvanointi]]). Elektrolyysiä ei aikaisemmin juurikaan käytetty puolijohteiden valmistuksessa, mutta viime aikoina lisääntynyt kemiallismekaanisen hionnan hyödyntäminen on elvyttänyt kiinnostusta asiaan.
* ''[[CVD]]ssä'' (Chemical Vapor Deposition) käytetään yleisesti kaasumaisia lähtöaineita, usein kasvatettavien kalvomateriaalien [[halogeeni|yhdisteitä]] tai [[vahva emäs|metallihydridejä]]. [[CVD|MOCVD]] tekniikassa käytetään [[organometalliyhdiste]]itä. CVD kasvatus tehdään kaupallisissa menetelmissä yleensö hyvin [[tyhjiötekniikka|alhaisessa paineessa]].
|