Versio 11. helmikuuta 2007 kello 20.14 muokkaa Vilkapi (keskustelu \| muokkaukset) seulojat 6 372 muokkausta wikitystä ← Vanhempi muutos		Versio 20. elokuuta 2008 kello 18.24 muokkaa kumoa Lab-oratory (keskustelu \| muokkaukset) automaattiseulotut käyttäjät 16 415 muokkausta , Replaced: esim. → esimerkiksi AWB Uudempi muutos →
Rivi 1: [[Kuva:MIOS esq.png\|thumb\|240px\|right\|Eräs puolijohderakenne]] '''Doping''' eli "douppaus" tarkoittaa [[puolijohde\|puolijohteiden]] (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (~~esim.~~esimerkiksi [[pii]], [[germanium]]). Tällöin saadaan komponenttiin halutut [[sähkö]]iset ominaisuudet.▼ ▲'''Doping''' eli "douppaus" tarkoittaa [[puolijohde\|puolijohteiden]] (puolijohdekomponettien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esim. [[pii]], [[germanium]]). Tällöin saadaan komponenttiin halutut [[sähkö]]iset ominaisuudet. Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100,000,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10,000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä n+ n-tyypin doppaukselle ja p+ p-tyypin douppaukselle. Rivi 9 ⟶ 8: ==Katso myös== * [[Piikiekko]] {{Commons\|Category:Semiconductors\|Puolijohde}} [[Luokka:Puolijohteet]]▼ {{tynkä/Tekniikka}} ▲[[Luokka:Puolijohteet]] [[de:Dotierung]]

Ero sivun ”Douppaus” versioiden välillä