Ero sivun ”Galliumarsenidi” versioiden välillä

[arvioimaton versio][arvioimaton versio]
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
p tynkäfix
Ei muokkausyhteenvetoa
Rivi 1:
'''Galliumarsenidi''' (GaAs) on III-V-puolijohteisiin kuuluva [[puolijohde|yhdistepuolijohde]], joka on [[gallium]]in ja [[arseeni]]n yhdiste. Se kilpailee [[pii (alkuaine)|pii]]pohjaisten puolijohdemateriaalien kanssa, joita se on nopeampi [[transistori|transistorina]]. GaAs-puolijohteita käytetään [[kännykkä|kännyköiden]] radiolähettimien [[MMIC]] (Monolithic Microwave Integrated Circuit) piireissä, [[laser]] [[diodi|diodeissalaserdiodeissa]], [[infrapuna]]-[[LED]]eissä ja [[aurinkokenno|aurinkokennoissa]]. 80-luvulla oli suunnitelmia korvata GaAs-puolijohteilla piipohjaiset ja joitakin GaAs-tekniikkaan pohjautuvia tietokoneita valmistettiinkin 90-luvun alussa, mutta [[CMOS]]-tekniikka voitti kilpailun.
 
GaAs-pohjaisilla aurinkokennoilla, joissa on myös mukana [[germanium]] ja [[indium]][[gallium]][[fosfori]] InGaP muodostamassa kolmiportaisen aurinkokennon, on saavutettu korkein tehokkuus 32%. Tämä pystyy myös toimimaan suurilla valotehoilla eli noin kaksinkertaisella maanpinnan aurinkoteholla. [[Mars]]in pinnalla liikkuvat robotit käyttävät tämäntyyppisiä aurinkokennoja.