Ero sivun ”Galliumarsenidi” versioiden välillä
[arvioimaton versio] | [arvioimaton versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
p tynkäfix |
Ei muokkausyhteenvetoa |
||
Rivi 1:
'''Galliumarsenidi''' (GaAs) on III-V-puolijohteisiin kuuluva [[puolijohde|yhdistepuolijohde]], joka on [[gallium]]in ja [[arseeni]]n yhdiste. Se kilpailee [[pii (alkuaine)|pii]]pohjaisten puolijohdemateriaalien kanssa, joita se on nopeampi [[transistori|transistorina]]. GaAs-puolijohteita käytetään [[kännykkä|kännyköiden]] radiolähettimien [[MMIC]] (Monolithic Microwave Integrated Circuit) piireissä, [[laser
GaAs-pohjaisilla aurinkokennoilla, joissa on myös mukana [[germanium]] ja [[indium]][[gallium]][[fosfori]] InGaP muodostamassa kolmiportaisen aurinkokennon, on saavutettu korkein tehokkuus 32%. Tämä pystyy myös toimimaan suurilla valotehoilla eli noin kaksinkertaisella maanpinnan aurinkoteholla. [[Mars]]in pinnalla liikkuvat robotit käyttävät tämäntyyppisiä aurinkokennoja.
|