Ero sivun ”Puolijohde” versioiden välillä
[katsottu versio] | [katsottu versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Ei muokkausyhteenvetoa |
|||
Rivi 24:
Puolijohteen sähkönjohtavuutta voidaan muuttaa lisäämällä siihen epäpuhtauksia [[Douppaus|douppauksella]].<ref name="aaltonen48"/> Nämä epäpuhtaudet lisäävät joko [[elektroni]]en (elektronien ylimäärää) tai [[elektroniaukko]]jen (elektronien vajausta) määrää. Näitä kutsutaan ''n''- ja ''p''-tyypeiksi.
Energiavyö ({{k-en|band gap}}) viittaa energiaeroon, joka tarvitaan jotta aineesta tulee sähköä johtavaa ja sallii elektronien kulkea läpi.<ref name="arschip" /><ref>{{Verkkoviite | osoite = http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/band.html | nimeke = Band Theory of Solids | viitattu = 24.10.2021 | kieli = {{en}} }}</ref> Ääripäissä johtavilla aineilla ei ole eroa, kun taas eristeillä ero on mahdoton ylittää.<ref name="arschip" /> Puolijohteilla on pieni ero välissä, joka on mahdollista ylittää kun tarpeeksi energiaa käytetään.<ref name="arschip" />
==Puolijohdetyypit ja -komponentit==
Rivi 33 ⟶ 35:
[[Galliumnitridi]] (GaN) ja [[galliumarsenidi]] (GaAs) puolijohteita käytetään korkean energian laitteissa kuten tutkajärjestelmissä.<ref name="arschip">{{Verkkoviite | osoite = https://arstechnica.com/information-technology/2016/06/cheaper-better-faster-stronger-ars-meets-the-latest-military-bred-chip/ | nimeke = A reprieve for Moore’s law: milspec chip writes computing’s next chapter | julkaisija = Ars Technica | julkaistu = 9.6.2016 | tekijä = Sean Gallagher | viitattu = 11.2.2020 | kieli = {{en}} }}</ref>
Galliumarsenidilla on normaalilämpötiloissa korkeampi
[[Piikarbidi]]-yhdistettä tutkitaan [[optinen siru|optisen sirun]] materiaalina sen parempien lämpö-, sähkö- ja mekaanisien ominaisuuksien johdosta.<ref>{{Verkkoviite | osoite = https://phys.org/news/2019-10-tunable-optical-chip-paves-quantum.html | nimeke = Tunable optical chip paves way for new quantum devices | ajankohta = 2.10.2019 | viitattu = 11.2.2020 | kieli = {{en}} }}</ref>
|