Ero sivun ”Kanavatransistori” versioiden välillä

[katsottu versio][katsottu versio]
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Ipr1 (keskustelu | muokkaukset)
Ipr1 (keskustelu | muokkaukset)
Ei muokkausyhteenvetoa
Rivi 1:
[[Tiedosto:FET cross section.png|thumb|RistileikkauskuvaPoikkileikkauskuva kanavatransistorista: lähde (Source), nielu (Drain) ja hila (Gate).]]
[[File:Electronic-Component-Through-Hole-Transistor.jpg|thumb|Kanavatransistori]]
'''Kanavatransistori''' eli '''FET''' (kanavavaikutustransistori, {{k-en|Field effect transistor}}<ref>https://www.tiede.fi/artikkeli/jutut/artikkelit/transistori_60_v_maailma_mullistui_puolivahingossa</ref>) on [[transistori]], jossa [[varauksenkuljettaja|varauksenkuljettajien]] liikettä ohjataan puolijohdekanavassa vaikuttavan sähkökentän avulla.
Rivi 15:
== Tekniikka ==
 
On olemassa suuri joukko eri tyyppisiä FET-komponentteja. [[Doping (puolijohde)|Dopingprofiilin]] mukaan FETit jakautuvat n-tyyppisiin ja p-tyyppisiin. Rakenteeltaan kaksi tärkeintä päätyyppiä ovat [[MOSFET]] (Metallioksidi-puolijohdekanavatransistori eli eristehilatransistori) ja [[JFET]] (Liitoskanavatransistori). MOSFETit jaetaan toimintaperiaatteeltaan avaustyyppisiin (enhancement) ja sulkutyyppisiin (depletion).

FETeillä on yleensä kolme tai neljä liitosjohtoa. Gatehila (hilaGate), drainnielu (nieluDrain), sourcelähde (lähdeSource) ja substratesubstraatti (substraattisubstrate). Substrate-elektrodi on vain MOSFETillä. Elektrodien suomenkielisistä nimistä ainoastaan [[hila]] on vakiintunut, koska se on analoginen [[elektroniputki|elektroniputken]] hilan kanssa, mutta muidenkin elektrodien suomenkieliset nimitykset ovat yleisessä tiedossa.
 
==Katso myös==