Ero sivun ”Faasimuutosmuisti” versioiden välillä
| [katsottu versio] | [katsottu versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Ei muokkausyhteenvetoa |
Ei muokkausyhteenvetoa |
||
Rivi 1:
{{Muistityypit}}
'''Faasimuutosmuisti''' ({{k-en|Phase-change memory}}, '''PCM''' tai '''PRAM''') on tietotekniikassa [[Muisti (tietokone)|muisti]]tyyppi, joka on [[haihtumaton muisti|haihtumatonta muistia]].<ref name="esfpcm">{{Verkkoviite | osoite = https://www.enterprisestorageforum.com/storage-hardware/phase-change-memory.html | nimeke = What is Phase Change Memory? | tekijä = Sean Michael Kerner | ajankohta = 18.7.2019 | viitattu = 5.1.2021 | kieli = {{en}} }}</ref><ref>{{Verkkoviite | osoite = https://lutpub.lut.fi/bitstream/handle/10024/127270/kandityo_raisanen_otto.pdf?sequence=2 | nimeke = Faasimuutosmuisti | tekijä = Otto Räisänen | tiedostomuoto = PDF | ajankohta = 13.11.2016 | viitattu = 5.1.2021}}</ref> Muistityypin tekniikkaa on tutkittu ja kehitetty 1960-luvulta lähtien.<ref name="esfpcm" />
Muistin sanotaan tarjoavan parempaa kirjoitusnopeutta ja pienempää virrankäyttöä kuin [[flash-muisti]]n.<ref name="esfpcm" /> Koska PCM-muisti ei tarvitse pyyhkimistä ennen kirjoittamista sen arvioidaan kestävän pidempään kuin flashin.<ref name="esfpcm" />
== Lähteet ==
| |||