Ero sivun ”Flash-muisti” versioiden välillä

 

[[Fujio Masuoka]] [[Toshiba|Toshiballa]] keksi NAND flash-muistit 1980-luvun alussa.<ref>[http://www.flash25.toshiba.com/ Toshiba, Inventor of FLASH Memory, 1987–2012; Toshiba]</ref><ref>{{Verkkoviite | osoite = https://www.britannica.com/technology/flash-memory | nimeke = Flash memory | tekijä = Erik Gregersen | viitattu = 22.9.2020 | kieli = {{en}} }}</ref> Masuoka esitti artikkelin muistisuunnittelustaan vuonna 1984, jonka jälkeen Intel aloitti kehityksen NOR logiikkaportteihin perustuvaan flash-muistiin.<ref>{{Verkkoviite | osoite = https://spectrum.ieee.org/tech-history/silicon-revolution/chip-hall-of-fame-toshiba-nand-flash-memory | nimeke = Chip Hall of Fame: Toshiba NAND Flash Memory | ajankohta = 30.6.2017 | viitattu = 22.9.2020 | kieli = {{en}} }}</ref>

 

Vuonna 2003 Intel kertoi ettei flash-muisti skaalautuisi 65 nanometrin alle.<ref name="edemer" /> Myöhemmin yhtiö ilmoitti sen skaalautuvan 35 nanometriin.<ref name="edemer" /> Vuonna 2007 Toshiba kertoi menetelmästä valmistaa flash-muistia 11 nanometrin tekniikalla.<ref name="edemer">{{Verkkoviite | osoite = https://www.electronicdesign.com/technologies/embedded-revolution/article/21806070/whats-the-difference-between-all-those-emerging-memory-technologies | nimeke = What’s the Difference Between All Those Emerging Memory Technologies? | tekijä = Jim Handy | ajankohta = 24.1.2018 | viitattu = 5.1.2021 | kieli = {{en}} }}</ref>