Ero sivun ”DRAM” versioiden välillä
| [katsottu versio] | [katsottu versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Rivi 7:
Varhaisia kehitysaskeleita oli [[Toshiba]]n [[Toshiba BC-1411|"TOSCAL" BC-1411]] [[laskin]], jossa oli kapasitiivinen dynaaminen RAM-muisti.<ref>{{Verkkoviite | osoite = https://www.oldcalculatormuseum.com/s-toshbc1411.html | nimeke = Specifications for Toshiba "TOSCAL" BC-1411 | viitattu = 8.2.2020 | kieli = {{en}} }}</ref><ref>{{Verkkoviite | osoite = https://www.oldcalculatormuseum.com/toshbc1411.html | nimeke = Toshiba "Toscal" BC-1411 Desktop Calculator | viitattu = 8.2.2020 | kieli = {{en}} }}</ref>
[[Robert Dennard]] keksi [[MOS]]-tekniikkaan perustuvan DRAM-piirin vuonna 1966 ja sai sille patentin 3,387,286 vuonna 1968.<ref>{{Verkkoviite | osoite = https://www.ibm.com/ibm/history/ibm100/us/en/icons/dram/ | nimeke = The Invention of On-Demand Data | julkaisija = IBM | viitattu = 8.2.2020 | kieli = {{en}} }}</ref><ref>{{Verkkoviite | osoite = https://patents.google.com/patent/US3387286A/en | nimeke = Field-effect transistor memory | viitattu = 8.2.2020 | kieli = {{en}} }}</ref><ref>{{Verkkoviite | osoite = https://www.britannica.com/biography/Robert-Dennard | nimeke = Robert Dennard | tekijä = David C. Hayes | viitattu = 8.2.2020 | kieli = {{en}} }}</ref> Dennardin ajatus oli että [[binäärijärjestelmä|binääristä]] informaatiota voitaisiin säilöä positiivisena tai negatiivisena varauksena
Ensimmäinen kaupallisesti saatava DRAM-muistipiiri oli [[Intel 1103]] (1969), jonka koko oli {{luku|1|[[bitti|kbit]]}}<ref>[http://inventors.about.com/library/weekly/aa100898.htm Mary Belis: Inventors of the Modern Computer, The Invention of the Intel 1103 - The World's First Available DRAM Chip; Invetors, About.com]</ref>. 1 Mbit muistikoko saavutettiin 1984 ja 1 Gbit 1990-luvun lopulla<ref>[http://maltiel-consulting.com/Semiconductor_technology_memory.html Memory, Semiconductor Technology Online]</ref>.
| |||