Kemiallisessa kasvatuksessa virtaava lähtöaine ("prikursori", eng {{k-en|precursor}}) aiheuttaa kemiallisen reaktion kiinteällä pinnalla muodostaen kiinteän aineen kerroksen. Jokapäiväinen esimerkki nokikerroksen muodostuminen kylmän kappaleen pinnalle, joka laitetaan nuotion liekkeihin. Koska virtaus peittää kiinteän kappaleen, kalvoa kasvaa joka puolelle ja kasvun suuntaus ei määräydy kovin tarkasti. Kemiallisella kalvonkasvatuksella tehdyt kalvot ovat lähtökohtaisesti varsin tasaisia, kasvunopeus on sama pinnan kaikilla osilla.
Kemiallinen kalvonkasvatus jakautuu kahteen osaan riippuen siitä, onko lähtöaine [[neste]] vai [[kaasu]]:
* ''[[Elektrolyysi|Galvaaninen]] pinnoitus'', (eng. {{k-en|plating}}) perustuu nestelähtöaineisiin, usein [[suola|metallisuolojen]] vesiliuoksiin. Jotkut pinnoitusprosessit toimivat vain liuoksissa olevilla reaktioaineilla, mitä käytetään tavallisesti [[jalometalli|jalometalleilla]]. Kaikista eniten käytetty kaupallinen prosessi sähkökemiallinen pinnoitus ([[elektrolyysi|galvanointi]]). Elektrolyysiä ei aikaisemmin juurikaan käytetty puolijohteiden valmistuksessa, mutta viime aikoina lisääntynyt kemiallismekaanisen hionnan hyödyntäminen on elvyttänyt kiinnostusta asiaan.
* ''[[CVD]]ssä'' ({{k-en|Chemical Vapor Deposition}}) käytetään yleisesti kaasumaisia lähtöaineita, usein kasvatettavien kalvomateriaalien [[halogeeni|yhdisteitä]] tai [[vahva emäs|metallihydridejä]]. [[CVD|MOCVD]] tekniikassa käytetään [[organometalliyhdiste]]itä. CVD kasvatus tehdään kaupallisissa menetelmissä yleensä hyvin [[tyhjiötekniikka|alhaisessa paineessa]].
** ''Plasma-avusteisessa [[CVD]]ssä'' käytetään ionisoituja [[höyry]]jä tai [[plasma]]a lähtöaineena. PECVD:ssä käytetään plasman tuottamiseen sähkövirtaa tai [[mikroaalto]]ja.
