Ero sivun ”Ohutkalvon kasvatus” versioiden välillä

'''Ohutkalvon kasvatuksella''' tarkoitetaan kaikkia niitä tekniikoita, joilla siirretään ohut materiaalikerros kasvatusalustalle (alustasta käytetään usein termiä [[substraatti]]). Ohutkalvon "ohuus" on suhteellinen käsite. Joillakin kasvatustekniikoilla (esimerkiksi [[ALD-reaktori|ALD]] ja MBE, Molecular Beam epitaxy) päästään atomikerroksittain kasvattamaan kalvon paksuutta, mutta useimmilla menetelmillä pienin säädettävissä oleva paksuus on joitakin kymmeniä [[nano]]metrejä. Kalvojen paksuudesta puhuttaessa käytetään usein mittana [[Ångström]]iä. Ohutkalvojen kasvatustekniikat ovat kehittyneet 50-luvulta alkaen [[elektroniikka]]teollisuuden kehittyessä. Näitä tekniikoita on alettu yhä laajemmin soveltamaan myös muiden tuotteiden valmistuksessa. [[Nanoteknologia]] käyttää paljolti samoja valmistusmenetelmiä.