Ero sivun ”SSD” versioiden välillä
| [katsottu versio] | [katsottu versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Rivi 31:
Uusien SSD-laitteiden tekniikka perustuu [[NAND-Flash|NAND-Flash:iin]], joka mahdollistaa suuremman kirjoitusnopeuden kuin aiemmissa [[muistitikku|muistitikuissa]] ja [[muistikortti|muistikorteissa]].
MLC (Multi Level Cell) ja SLC (Single Level Cell) ovat [[NAND-Flash]] tekniikan osia, solutyyppejä. Nelitilainen MLC on edullisempi mutta vikaherkempi, [[binäärinen]] SLC on nopeampi ja kalliimpi. MLC-soluja tarvitaan puolet vähemmän kuin kaksitilaisia, mutta noin puolet suurempi virheenkorjausbittien tarve vie osan saadusta hyödystä.<ref>{{Verkkoviite | Osoite = http://www.storagesearch.com/siliconsys-art1.html | Nimeke = Increasing Flash SSD Reliability | tekijä = storagesearch.com | ajankohta = | viitattu = 2.7.2008 | kieli = {{en}}}}</ref><ref>{{Verkkoviite | osoite = http://www.electronicsweekly.com/mannerisms/memory/the-potential-for-solid-state-2007-06/ | Nimeke = Serious SSDs Look Possible | tekijä = electronicsweekly.com - David Manners | ajankohta = 26.6.2007 | viitattu = 2.7.2008 | kieli = {{en}}}}</ref>
TLC-tekniikka (Triple-level cell) tallettaa kolme bittiä solua (yksi enemmän kuin MLC:ssä).<ref>{{Verkkoviite | osoite = https://www.anandtech.com/show/6459/samsung-ssd-840-testing-the-endurance-of-tlc-nand | nimeke = Samsung SSD 840: Testing the Endurance of TLC NAND | julkaisija = Anandtech | julkaistu = 16.11.2012 | tekijä = Vättö, Kristian | viitattu = 2.11.2017}}</ref>
30. tammikuuta 2010 [[Intel-Micron Flash Technologies]] julkisti 25 nm:n valmistusprosessin MLC-NAND -muistille.<ref>{{Verkkoviite | osoite = http://www.anandtech.com/show/2928 | nimeke = Intel & Micron Announce 25nm NAND Flash Production | tekijä = anandtech.com - Anand Lal Shimpi | ajankohta = 30.1.2010 | viitattu = 1.2.2015 | kieli = {{en}}}}</ref>
| |||