Ero sivun ”Ohutkalvon kasvatus” versioiden välillä
| [katsottu versio] | [katsottu versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
p kh |
p wl: ALD (https://fi.wikipedia.org/wiki/Adrenoleukodystrofia) rd -> ALD (https://fi.wikipedia.org/wiki/ALD-reaktori) |
||
Rivi 1:
'''Ohutkalvon kasvatuksella''' tarkoitetaan kaikkia niitä tekniikoita, joilla siirretään ohut materiaalikerros kasvatusalustalle (alustasta käytetään usein termiä [[substraatti]]). Ohutkalvon "ohuus" on suhteellinen käsite. Joillakin kasvatustekniikoilla (esimerkiksi [[ALD-reaktori|ALD]] ja MBE, Molecular Beam epitaxy) päästään atomikerroksittain kasvattamaan kalvon paksuutta, mutta useimmilla menetelmillä pienin säädettävissä oleva paksuus on joitakin kymmeniä [[nano]]metrejä. Kalvojen paksuudesta puhuttaessa käytetään usein mittana [[Ångström]]iä. Ohutkalvojen kasvatustekniikat ovat kehittyneet 50-luvulta alkaen [[elektroniikka]]teollisuuden kehittyessä. Näitä tekniikoita on alettu yhä laajemmin soveltamaan myös muiden tuotteiden valmistuksessa. [[Nanoteknologia]] käyttää paljolti samoja valmistusmenetelmiä.
Ohutkalvoja käytetään [[optiikka|optiikassa]] esimerkiksi heijastuksen poistokalvoina, elektroniikassa [[eriste]]- tai [[johde]]kalvoina, hohdekalvoina [[Elektroluminesenssinäyttö|elektroluminesenssi-]] ja [[OLED]]-näytöissä, [[puolijohde|puolijohteissa]], pakkauskalvoissa (esimerkiksi [[alumiini]]kalvo [[Polyetyleenitereftalaatti|PET]]-muovikalvolla). Ohutkalvoja voidaan käyttää myös korroosion estossa tai passivointikerroksina parantamaan materiaalin happojen kestävyyttä tai vähentämään elimistöjen hylkimisefektiä.
| |||