Ero sivun ”Tehoelektroniikka” versioiden välillä
| [katsottu versio] | [arvioimaton versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
p typoja |
p Tehoelektroniikan eri komponentteja käsitellään tarkemmin muuten kuin ainoastaan luettemalla niitä. Merkkaukset: seulottavat Visuaalinen muokkaus |
||
Rivi 2:
== Tehoelektroniikan komponentit ==
Diodeilla on tärkeä rooli tehoelektroniikassa, sillä niillä voidaan estää virran kulku ei-haluttuun suuntaan. Tärkeimmät diodin ominaisuudet ovat, että estosuunnassa diodin yli ei pääsisi vuotamaan ollenkaan virtaa, päästösuunnassa diodin liitosten yli menevä jännite olisi nolla eli siinä ei syntyisi tehohäviöitä ja diodin pitäisi pystyä reagoimaan virran muutokseen mahdollisimman nopeasti eli siirtyä estokaistalta päästökaistalle tai päästökaistalta estokaistalle heti kun virran suunta muuttuu. Kaikkia näitä ominaisuuksia ei voida optimoida parhaaksi mahdolliseksi, vaan jotain ominaisuuksia parannettaessa joitakin täytyy huonontaa. Tämän takia diodityypin valinta tehdään sovelluskohtaisesti, jolla pyritään optimoimaan haluttuja ominaisuuksia muiden ei niin tärkeiden kustannuksella. Tehodiodeiksi luokitellaan esimerkiksi PIN-diodit ja Schottkyn diodit.
'''PIN-diodeilla''' on suuri estosuunnan jännitekestävyys, joka tarkoittaa sitä, että estosuunnassa sen vuotovirta on erittäin pieni. PIN-diodien jännitekestävyys perustuu siihen lisättyyn keskialueeseen(p- ja n-liitosalueiden välissä), joka on heikosti saostettua piitä. Tämä on suurin ero perinteiseen PN-diodiin. PIN-diodiin lisätyn välialueen takia komponentissa tapahtuu enemmän häviöitä, koska se kasvattaa diodin kynnysjännitettä lisäämällä sen resistanssia. Toinen ero perinteiseen PN-diodiin on se, että virran muuttuessa nopeasti nollaan diodin suhteellisen suuri liitosalue aiheuttaa suhteellisen suuren takavirran, koska se sisältää edelleen paljon varauksenkuljettajia, jonka takia diodi ei mene välittömästi estotilaan. PIN-diodit ovat jaoteltu vielä erikseen hitaisiin ja nopeisiin riippuen takavirran kestoajasta.
'''Schottkyn-diodin''' pääosat ovat kaksi N-tyypin puolijohdetta, joista toinen on vahvasti ja toinen heikosti saostettu ja metallipinta, joka muodostaa toimintapinnan sen ja heikosti saostetun puolijohteen pinnan välille. Tämän diodityypin etuina ovat nopea reagointi virran tippumisesta nollaan ja pieni kynnysjännite(eli pienet häviöt) ja haittoina taas huono jännitekestävyys, joka on parhaimmillaan tämän tyyppisissä diodeissa 100V. Tätä diodityyppiä käytetään yleisesti hakkuriteholähteissä.
== Tehoelektroniikan sovellukset ==
| |||