Ero sivun ”Galliumarsenidi” versioiden välillä
| [katsottu versio] | [katsottu versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
p typoja |
Ei muokkausyhteenvetoa |
||
Rivi 19:
GaAs-pohjaisilla aurinkokennoilla, joissa on myös mukana [[germanium]]ia ja indiumgalliumfosfidia InGaP muodostamassa kolmiportaisen aurinkokennon, on saavutettu 32 % hyötysuhde. Tämä pystyy myös toimimaan suurilla useilla kymmenillä tai sadoilla maanpinnan auringon tehoa vastaavilla valotehoilla. [[Mars]]in pinnalla liikkuvat robotit käyttävät tämäntyyppisiä aurinkokennoja.
Sharp ilmoitti valmistaneensa GaAs-pohjaisen 44,4 % hyötysuhteella toimivan aurinkokennon 14.6.2013. Edellinen ennätys oli amerikkalaisen Solar Junction -nimisen yrityksen 44 % hyötysuhde, joka sekin saavutettiin GaAs-pohjaisella aurinkokennolla.
Galliumarsenidia voidaan valmistaa galliumista ja arseenista korkean paineen alaisena.<ref name="kirk-othmer" />
| |||