Ero sivun ”Galliumarsenidi” versioiden välillä
| [katsottu versio] | [katsottu versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Ei muokkausyhteenvetoa |
Ei muokkausyhteenvetoa |
||
Rivi 15:
'''Galliumarsenidi''' (GaAs) on III-V-puolijohteisiin kuuluva [[puolijohde|yhdistepuolijohde]], joka on [[gallium]]in ja [[arseeni]]n yhdiste. Galliumarsenidi kilpailee [[pii (alkuaine)|pii]]pohjaisten puolijohdemateriaalien kanssa, ja on niitä nopeampi [[transistori|transistorina]]. GaAs-puolijohteita käytetään [[kännykkä|kännyköiden]] radiolähettimien [[MMIC]] (Monolithic Microwave Integrated Circuit) piireissä, [[laser|laserdiodeissa]], [[infrapuna]]-[[LED]]eissä ja [[aurinkokenno|aurinkokennoissa]]. 80-luvulla oli suunnitelmia korvata GaAs-puolijohteilla piipohjaiset ja joitakin GaAs-tekniikkaan pohjautuvia tietokoneita valmistettiinkin 90-luvun alussa, mutta [[CMOS]]-tekniikka voitti kilpailun.
GaAs on suora-aukkoinen puolijohde, ja se kykenee emittoimaan valoa. GaAs- ja muita III-V pohjaisia lasereita käytetään laajalti eri sovelluksissa. Esimerkkejä tällaisista III-V puolijohteiden sovelluksista on optinen tiedonsiirto (kännykkäpuhelut, internet), CD, DVD,
GaAs-pohjaisilla aurinkokennoilla, joissa on myös mukana [[germanium]]ia ja indiumgalliumfosfidia InGaP muodostamassa kolmiportaisen aurinkokennon, on saavutettu 32 % hyötysuhde. Tämä pystyy myös toimimaan suurilla useilla kymmenillä tai sadoilla maanpinnan auringon tehoa vastaavilla valotehoilla. [[Mars]]in pinnalla liikkuvat robotit käyttävät tämäntyyppisiä aurinkokennoja.
| |||