Ero sivun ”SSD” versioiden välillä
| [katsottu versio] | [katsottu versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
p →Osioiden kohdistus: oho |
p →Muistitekniikka: oho |
||
Rivi 33:
MLC (Multi Level Cell) ja SLC (Single Level Cell) ovat [[NAND-Flash]] tekniikan osia, solutyyppejä. Nelitilainen MLC on edullisempi mutta vikaherkempi, [[binäärinen]] SLC on nopeampi ja kalliimpi. MLC soluja tarvitaan puolet vähemmän kuin kaksitilaisia, mutta noin puolet suurempi virheenkorjausbittien tarve vie osan saadusta hyödystä.<ref>{{Verkkoviite | osoite = http://www.storagesearch.com/siliconsys-art1.html | nimeke = Increasing Flash SSD Reliability | tekijä = storagesearch.com | ajankohta = | viitattu = 2.7.2008 | kieli = {{en}}}}</ref><ref>{{Verkkoviite | osoite = http://www.electronicsweekly.com/mannerisms/memory/the-potential-for-solid-state-2007-06/ | nimeke = Serious SSDs Look Possible | tekijä = electronicsweekly.com - David Manners | ajankohta = 26.6.2007 | viitattu = 2.7.2008 | kieli = {{en}}}}</ref> Vähiten uudelleenkirjoitusta kestää TLC-tekniikka.
30. tammikuuta 2010 [[Intel-Micron Flash Technologies]] julkisti 25 nm:n valmistusprosessin MLC-NAND -muistille.<ref>{{Verkkoviite | osoite = http://www.anandtech.com/show/2928 | nimeke = Intel & Micron Announce 25nm NAND Flash Production | tekijä =
Uudelleenkirjoitusten määrää tekniikoittain:<ref>{{Verkkoviite | osoite = http://muropaketti.com/samsung-julkaisi-840-evo-ssd-asemat | nimeke = Samsung julkaisi 840 EVO -SSD-asemat | tekijä =
*TLC 1 000 kertaa
*MLC 4 000 kertaa
| |||