Ero sivun ”SRAM” versioiden välillä

{{Muistityypit}}

[[Kuva:SRAM_Cell_(6_Transistors).svg|thumb|250px|Kuuden transistorin SRAM-muistisolu.]]

'''SRAM''' (engl. ''Static Random Access Memory'') eli staattinen [[RAM-muisti]] on [[puolijohde|puolijohdetekniikalla]] toteutettu [[muisti (tietokone)|muistityyppi]]. SRAM eroaa [[DRAM]]-muistista siten, että DRAM-muistikennon [[kondensaattori]]a on virkistettävä säännöllisesti, koska muutoin se kadottaa tietonsa. SRAM-muistisolu koostuu [[Kiikku (tietokonetekniikka)|kiikkupiiristä]], joka on toteutettu muutamalla [[transistori|transistorilla]]. Kiikkupiiri on asetetun tilansa säilyttävä eli staattinen niin pitkään kuin käyttöjännite on kytkettynä, joten tarvetta virkistykselle ei ole. SRAMista voidaan tehdä erittäin nopeaa, koska data voidaan lukea suoraan solun ulosmenolinjalta ilman erityistoimenpiteitä, ja SRAM voidaan valmistaa samalla nopealla logiikkaprosessilla kuin yleiskäyttöiset piirit. SRAM-muisti sijaitsee usein fyysisesti samalla [[mikropiiri|mikropiirillä]] kuin sitä käyttävä [[suoritin]], kun puolestaan DRAM sijaitsee omalla piirillään. SRAM vaatii n. 6−8 kertaa enemmän tilaa piiriltä kuin DRAM, eli samaan tilaan ja samalla hinnalla saadaan valmistettua 6−8 kertaa enemmän DRAM-muistia kuin SRAM-muistia, mistä syystä SRAMia käytetään lähinnä [[puskurimuisti|puskuri-]] ja [[välimuisti|välimuistina]] sekä esimerkiksi paristovarmennettuna asetusmuistina.