Ero sivun ”William Shockley” versioiden välillä

[arvioimaton versio][katsottu versio]
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Rivi 44:
Ennen transistorin keksimistä esimerkiksi [[puhelinverkko|puhelinverkoissa]] käytettiin [[vahvistin|vahvistimina]] elektroniputkia. Elektroniputkien ongelmina oli kuitenkin suuri fyysinen koko, korkea hinta ja tehonkulutus, jonka takia ne myös lämpesivät käytössä voimakkaasti. Edelleen elektroniputket olivat epäluotettavia ja ne hajosivat helposti. Tästä syystä Yhdysvaltojen suurin [[teleoperaattori]] [[AT&T]] kääntyi oman tutkimuslaitoksensa eli Bellin puhelinlaboratorion puoleen ja pyysi tätä kehittämään elektroniputken korvaavan komponentin vahvistinkäyttöön puhelinverkoissa. <ref name="APS1">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.aps.org/publications/apsnews/200011/history.cfm | Nimeke = November 17 - December 23, 1947: Invention of the First Transistor | Julkaisu = American Physical Society | Viitattu =20.1.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref> <ref name="APS2">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.aps.org/programs/outreach/history/historicsites/transistor.cfm | Nimeke = John Bardeen, William Shockley, Walter Brattain. Invention of the Transistor - Bell Laboratories | Tekijä = Levine, Alaine G. | Julkaisu = American Physical Society | Viitattu =20.1.2014 | Kieli ={{en}} }}</ref>
==== Pistekontaktitransistori ====
Jo ennen toista maailmansotaa, Shockley ja fyysikko Walter Brattain olivat yrittäneet rakentaa puolijohdevahvistimen, mutta he epäonnistuivat.<ref name="Bill Shockley 2"/> Pian toisen maailmansodan jälkeen elektroniputken korvaamiseksi jollakinjollain toisella komponentilla Bellin puhelinlaboratoriossa perustettiin uudelleen tutkimusryhmä, jonka vetäjäksi valittiin William Shockley. Hän keräsi ryhmään useita kyvykkäitä tiedemiehiä, joista avainhenkilöitä olivat fyysikot John Bardeen ja Brattain.
 
Shockleyn tavoitteena oli vahvistin, jossa puolijohteessa kulkevan [[sähkövirta|sähkövirran]] suuruutta voitaisiin säätää [[sähkökenttä|sähkökentällä]]. Valitettavasti laitetta ei saatu toimimaan eikä sähkökenttä näyttänyt tunkeutuvan aineeseen, jolloin Bardeen päätteli, että varaukset puolijohteen pinnassa estivät kentän tunkeutumisen syvemmälle puolijohteeseen. Bardeen ja Brattain työskentelivät tämän ongelman ratkaisemiseksi käytännössä ilman Shockleyta, kun he onnistuivat puolivahingossa saamaan ensimmäisen transistorin toimimaan joulukuun 16. päivänä [[1947]]. Ensimmäisenä transistorivahvistimena toimi [[germanium]]pala, johon toisiaan lähelle oli kytketty kultakontaktit. Tällaista transistoria kutsuttiin [[:en:point contact transistor | pistekontaktitransistoriksi]]. Komponentti nimettiin Bellin laboratoriossa transistoriksi siksi, että laitteessa virta ohjasi jännitettä, eli kyseessä oli transresistanssi (siirtoresistanssi). Transistori on siis lyhenne transresistanssista. <ref name="Lehto">{{Verkkoviite | Osoite = http://www.tiede.fi/artikkeli/jutut/artikkelit/transistori_60_v_maailma_mullistui_puolivahingossa | Nimeke = Transistori 60 v. Maailma mullistui puolivahingossa | Tekijä = Lehto, Arto | Julkaisu = Tiede | Viitattu =20.1.2014 | }}</ref>