Ero sivun ”Flash-muisti” versioiden välillä
| [arvioimaton versio] | [arvioimaton versio] |
Poistettu sisältö Lisätty sisältö
Flash-muistien historia |
|||
Rivi 8:
Yksi [[Bitti|bitin]] tilan tallentava muistialkio koostuu [[MOSFET]]-tyyppisestä rakenteesta, jossa tavanomaisen hilan lisäksi on oksidikerroksella eristetty, kelluva hila. Ohjelmoitaessa bitti 0 kelluvaan hilaan injektoidaan sähkövaraus, joka estää virran kulun. Jos varaus puretaan, kanavan johtavuus kasvaa, ja muistialkio saa arvon 1.<ref>{{Verkkoviite | Osoite = https://jyx.jyu.fi/dspace/bitstream/handle/123456789/12484/URN_NBN_fi_jyu-200746.pdf?sequence=1 | Nimeke = Haihtumattomat tallennusmenetelmät sulautetussa anturijärjestelmässä| Tekijä = J. Mäntymaa| Tiedostomuoto = pdf | Selite = s. 11-20| Julkaisu = Pro gradu tutkielma | Ajankohta = 25.10.2006 | Julkaisupaikka = Jyväskylä | Julkaisija = Jyväskylän ylopisto, Tietotekniikan laitos | Viitattu = 14.11.2011 | Kieli = suomi }}</ref>
== Flash-muistien historia ==
Fujio Masuoka Toshiballa keksi sekä NOR- että NAND-flash-muistit 1980-luvun alussa. Vuonna 2002 markkinoilla oli jo 1 [[Gbit]] kokoisia flash-muistipiirejä.<ref>[]</ref>
==Flash-muistiin perustuvia tuotteita==
Rivi 20 ⟶ 24:
==Lähteet==
{{Viitteet}}
| |||