Ero sivun ”Douppaus” versioiden välillä

19 merkkiä poistettu ,  9 vuotta sitten
nimi
p (siirsi sivun Doping (puolijohde) ohjauksen Douppaus päälle)
(nimi)
{{Korjattava/nimi}}
[[Kuva:MIOS esq.png|thumb|240px|right|Eräs puolijohderakenne]]
'''DopingDouppaus''', “douppaus”'''doping''' eli '''seostaminen''' tarkoittaa [[puolijohde|puolijohteiden]] (puolijohdekomponenttien) valmistuksessa epäpuhtauksien lisäämistä hallitusti erittäin puhtaaseen puolijohdeaineeseen (esimerkiksi [[pii (alkuaine)|pii]], [[germanium]], [[seleeni]], [[arseeni]]). Tällöin saadaan materiaaliin halutunlaiset [[sähkö]]iset ominaisuudet.
 
Doupattujen atomien määrä, joka tarvitaan muuttamaan puolijohteen sähkönjohtavuutta, on erittäin pieni. Kun suhteellisen pieni määrä doupattuja atomeja lisätään (1 jokaista 100 000 000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan matala tai kevyt. Kun doupattuja atomeja lisätään huomattavasti enemmän (1 jokaista 10 000 atomia kohden), sanotaan douppauksen olevan raskas tai korkea. Tämä merkitään yleensä ''n+'' n-tyypin douppaukselle ja ''p+'' p-tyypin douppaukselle.